[发明专利]一种非离子有机硅表面活性剂的制备方法有效

专利信息
申请号: 202210452756.4 申请日: 2022-04-27
公开(公告)号: CN114672029B 公开(公告)日: 2023-03-31
发明(设计)人: 范浩军;李恒;王文凯;向均;陈意;颜俊 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: C08G77/46 分类号: C08G77/46;C09K23/54
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610065 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 离子 有机硅 表面活性剂 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种非离子有机硅表面活性剂的制备方法,其特征在于该制备方法包括如下步骤,所用物料的份数均为重量份数:

(1)高HLB值非离子有机硅表面活性剂的制备:将单端含氢硅油12~16份、烯丙基聚氧乙烯甲基醚10~14份加入到反应釜中,控制体系-C=C/-Si-H的摩尔比0.9~1.3,升温至80~90℃,加入铂催化剂0.1~0.3份,于100~120℃下反应1~2h,经溴乙酸滴定法测定剩余-Si-H基团含量达到理论值后,制得结构式为的高HLB值非离子有机硅表面活性剂,其中n的值为5~8,R的结构式为-CH2-CH2O(CH2CH2O)mCH3,m的值为5~10;

(2)低HLB值非离子有机硅表面活性剂的制备:将双端含氢硅油10~14份、烯丙基聚氧乙烯甲基醚15~18份加入到反应釜中,控制-C=C/-Si-H的摩尔比在0.8~1.2,升温至80~90℃,加入铂催化剂0.2~0.4份,于110~130℃下反应2~3h,经溴乙酸滴定法测定剩余-Si-H基团反应至理论值后,制得结构式为的低HLB值非离子有机硅表面活性剂,其中p的值

为14~18,R的结构式为-CH2-CH2O(CH2CH2O)mCH3,m的值为5~10。

2.根据权利要求1所述的一种非离子有机硅表面活性剂的制备方法,其特征在于该方法中所述的单端含氢硅油的含氢量为0.16~0.22%,双端含氢硅油的含氢量为0.15~0.18%。

3.根据权利要求1所述的一种非离子有机硅表面活性剂的制备方法,其特征在于所述铂催化剂为铂-1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷的配合物、氯铂酸的异丙醇溶液中的一种或组合。

4.根据权利要求1所述的一种非离子有机硅表面活性剂的制备方法,其特征在于所述高HLB值非离子有机硅表面活性剂其亲水亲油平衡值HLB为10~14,浊点为60~68℃,临界胶束浓度CMC为0.19~0.25g/L;低HLB值非离子有机硅表面活性剂其亲水亲油平衡值HLB为3~6,浊点为45~55℃,临界胶束浓度CMC为0.07~0.15g/L。

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