[发明专利]金半接触器件的结构、制造方法及电子设备

权利要求书

1.一种金半接触器件的结构，其特征在于，包括衬底、边缘环结构和金属层；

所述边缘环结构位于所述衬底中；

所述金属层覆盖所述衬底且显露所述边缘环结构；

其中，所述边缘环结构包括n个离子掺杂阱区；n为大于1的自然数；

第i离子掺杂阱区位于第i+1离子掺杂阱区中；i为小于n的正整数。

2.如权利要求1所述的金半接触器件的结构，其特征在于，第i离子掺杂阱区的多子浓度大于第i+1离子掺杂阱区的多子浓度。

3.如权利要求1所述的金半接触器件的结构，其特征在于，所述衬底为N型区，所述边缘环结构为P型区；或者

所述衬底为P型区，所述边缘环结构为N型区。

4.如权利要求1所述的金半接触器件的结构，其特征在于，在垂直方向上，所述边缘环结构的边缘与所述金属层的边缘位于同一平面。

5.一种金半接触器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

步骤A：在衬底或者第m复合层上形成第m+1复合层；其中，第m复合层包括第m凹槽和m个材料区，第m材料区至第1材料区线性依次排列；第m+1复合层包括第m+1凹槽和m+1个材料区，第m+1材料区至第1材料区线性依次排列；m为小于等于n的正整数；

重复n次步骤A，以形成第n复合层；n为大于1的整数，m为小于n的正整数；

步骤B：在第j复合层上表面离子注入，以在所述衬底的第j凹槽所在位置形成第n-j+1离子掺杂阱区；j为小于等于n的正整数；

步骤C：移除所述第j复合层中的第j材料区以形成第j-1复合层；或者移除所述第1复合层以显露所述衬底；

重复n次步骤B和步骤C，以形成边缘环结构；所述边缘环结构包括n个离子掺杂阱区；n为大于1的自然数；第i离子掺杂阱区位于第i+1离子掺杂阱区中；i为小于n的正整数；

步骤D：在所述衬底上表面形成金属层；所述金属层覆盖所述衬底且显露所述边缘环结构。

6.根据权利要求5所述的金半接触器件的制造方法，其特征在于，当第一次执行所述步骤A时，所述步骤A包括：在所述衬底形成第1复合层；

当非第一次执行所述步骤A时，所述步骤A包括：在所述第m复合层上形成第m+1复合层。

7.根据权利要求6所述的金半接触器件的制造方法，其特征在于，所述在所述衬底形成第1复合层包括：

在所述衬底形成第1阻挡层；

通过显像使所述第1阻挡层形成所述第1复合层。

所述在所述第m复合层上形成第m+1复合层包括：

所述在所述第m复合层上形成第m+1阻挡层；

移除所述第m+1阻挡层的上表面且保留所述第m复合层侧壁上的所述第m+1阻挡层以形成所述第m+1复合层。

8.根据权利要求5所述的金半接触器件的制造方法，其特征在于，当最后一次执行所述步骤C时，所述步骤C包括：移除所述第1复合层以显露所述衬底；

当非最后一次执行所述步骤C时，所述步骤C包括：移除所述第j复合层中的第j材料区以形成第j-1复合层。

9.根据权利要求5所述的金半接触器件的制造方法，其特征在于，各个材料区的材料不相同。

10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求1至4任意一项所述的金半接触器件的结构。