[发明专利]半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 202210455052.2 | 申请日： | 2022-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN114551224B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 李超成 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 汪春艳 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件为LDMOS器件，所述制备方法包括：
提供衬底，在所述衬底上依次形成第一介质层、第二介质层和图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层具有开口；
采用干法刻蚀工艺沿着所述开口刻蚀所述第二介质层以显露出所述第一介质层的表面，且所述开口延伸至所述第一介质层的表面；
采用湿法刻蚀工艺继续沿着所述开口刻蚀所述第一介质层以显露出所述衬底的表面，且所述开口延伸至所述衬底的表面；以及，
去除图形化的光刻胶层，在所述开口底部的所述衬底的表面形成场氧化层。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述衬底上依次形成所述第一介质层、所述第二介质层和所述图形化的光刻胶层之前，还包括在所述衬底中形成漂移区；在形成所述场氧化层之后，所述场氧化层位于所述漂移区的部分表面上。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一介质层的材质和所述第二介质层的材质不同。
4.如权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一介质层的材质包括氧化硅，所述第二介质层的材质包括氮化硅。
5.如权利要求3或4所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一介质层的厚度为100 Å ~500 Å，所述第二介质层的厚度为300 Å ~1000 Å。
6.如权利要求4所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀剂包括氢氟酸，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀时间为3min~6min。
7.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在形成所述场氧化层之后，还包括刻蚀去除所述第二介质层。
8.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，采用热氧化工艺在所述开口底部的所述衬底的表面形成所述场氧化层。
9.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，采用灰化工艺去除所述图形化的光刻胶层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
