[发明专利]显示面板及其制作方法在审
申请号: | 202210456514.2 | 申请日: | 2022-04-27 |
公开(公告)号: | CN114944411A | 公开(公告)日: | 2022-08-26 |
发明(设计)人: | 易士娟 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/54;H01L33/62 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨瑞 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 | ||
本申请提出了一种显示面板及其制作方法;该显示面板包括衬底基板、设置在衬底基板上的发光器件层、设置于发光器件层上的封装层以及设置于封装层上的阵列驱动层。其中,发光器件层包括多个发光器件,多个发光器件内嵌于封装层内,阵列驱动层包括与多个发光器件电性连接的多个薄膜晶体管;本申请通过将多个发光器件直接设置在基板上形成发光器件层,再在发光器件层上设置封装层使发光器件内嵌于封装层内,然后在封装层上设置阵列驱动层以使薄膜晶体管与发光器件电连接,发光器件与衬底基板、阵列驱动层的结合更加牢固,而且制作工艺可克服常规显示面板中“各向异性导电胶绑定”制程与“金属绑定”制程中的绑定良率低、技术难度大的问题。
技术领域
本申请涉及显示技术的领域,具体涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
Micro-LED模组通常包括阵列基板和设置在阵列基板上的多个Micro-LED芯片,其中,Micro-LED芯片一般通过巨量转移技术转移到阵列基板上。现阶段,LED芯片的巨量转移技术一般通过“各向异性导电胶绑定”制程(ACF bonding)或者可低温形成合金的“金属绑定”制程实现LED芯片与阵列基板的固定连接。
但是,这些绑定制程都存在Micro-LED芯片与阵列基板的粘结强度低、良率低的技术问题。
发明内容
本申请提供一种显示面板及其制作方法,以改善当前显示面板在芯片与基板的绑定制程中存在的芯片与基板粘接强度低的技术问题。
为解决上述技术问题,本申请提供的技术方案如下:
本申请提供一种显示面板,包括:
衬底基板;
发光器件层,设置于所述衬底基板上,所述发光器件层包括多个发光器件;
封装层,设置于所述发光器件层上,多个所述发光器件内嵌于所述封装层内;以及
阵列驱动层,设置于所述封装层上,所述阵列驱动层包括与多个所述发光器件电性连接的多个薄膜晶体管。
在本申请的显示面板中,所述封装层包括包覆于所述发光器件外围的封装部;
其中,在所述阵列驱动层至所述衬底基板的方向上,所述封装部平行于所述衬底基板的横截面的尺寸逐渐增大。
在本申请的显示面板中,所述发光器件层还包括设置于所述衬底基板上的公共电极层,所述发光器件设置于所述公共电极层上;
其中,所述发光器件的第一端与所述薄膜晶体管电性连接,所述发光器件的第二端与所述公共电极层电性连接。
在本申请的显示面板中,所述封装层还包括设置于所述衬底基板上的支撑部,所述公共电极层覆盖所述支撑部的表面;
其中,所述支撑部与所述公共电极层为透明材质。
在本申请的显示面板中,所述公共电极层包括设置于所述支撑部表面的第一电极部和设置于所述衬底基板表面的第二电极部,所述第一电极部与所述第二电极部连续设置;
其中,至少部分所述第二电极部与所述封装部接触,以及所述第二电极部与公共电压端电性连接。
在本申请的显示面板中,所述封装层还包括设置于所述封装部表面和所述第二电极部表面的第一导电层;
其中,所述第二电极部通过所述第一导电层与公共电压端电性连接,以及所述第一导电层与所述发光器件的第一端绝缘设置。
在本申请的显示面板中,所述封装层还包括与所述封装部同层设置的第一绝缘层、设置于所述封装部与所述第一绝缘层之间的第一过孔和设置在所述第一绝缘层上的第二绝缘层,所述第二绝缘层填充所述第一过孔;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210456514.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的