[发明专利]新型的氯甲硅烷基芳基锗烷、其制备方法及其用途

说明书

本发明涉及新型的氯甲硅烷基芳基锗烷、其制备方法及其用途。具体地，本发明涉及新型化合物氯甲硅烷基芳基锗烷及制备氯甲硅烷基芳基锗烷的方法及其用途，和用于制备三氯甲硅烷基三氯锗烷的方法及其用途。

本分案申请为申请日为2018年5月31日，申请号为201810547407.4，同题的母案申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及新型的氯甲硅烷基芳基锗烷、其制备方法及其用途。

背景技术

卤代硅烷，聚卤代硅烷，卤代锗烷，聚卤代硅烷，硅烷，聚硅烷，锗烷，聚锗烷以及相应的混合化合物是长期已知的，除了无机化学的常规教科书之外，还可以参见WO 2004/036631 A2或C.J. Ritter等人, J. Am. Chem. Soc., 2005, 127, 9855-9864。

L. Müller等人在J. Organomet. Chem., 1999, 579, 156-163中尤其描述了三氯甲硅烷基甲基锗烷的制备。

由Angew. Chem., 1993, 105, 587-588（G. Sih等人）和Tetrahedron Lett.,1970, 51, 4443-4447（F. Feher等人）已知甲基甲锗烷基硅烷和苯基甲锗烷基硅烷。

此外，已知存在Sn-Si键和Sn-Ge键的含苯基和含氢的化合物（J.B. Tice等人, J.Inorganic Chemistry, 2009, 48(13), 6314-6320）。其中建议使用这些化合物作为IR半导体。

Singh等人在专利文献US 7,540,920 B2中公开了具有氢基团或卤素基团X_1-6的式X₁X₂X₃ -Si-Ge- X₄X₅X₆的Si-Ge化合物。

关于氯甲硅烷基锗烷，目前几乎没有了解。因此，通过基础研究正在努力寻找新型化合物并寻求新的制备途径，特别是就潜在的工业应用和任选可改进的应用而言。

发明内容

本发明的目的在于提供新型的硅-锗化合物及其制备方法。

令人惊讶地发现，作为制备硅-锗化合物，特别是

R₃Ge-SiCl₃、Cl₃Si-GeR₂-GeR₂-SiCl₃、Cl₃Ge-SiCl₃、[Ph₄P][Ge(SiCl₃)₃]、[Ph₄P][Ge(SiCl₃)₃*GaCl₃]、[Ph₄P][Ge(SiCl₃)₃*BBr₃]，

的新的合成可能性，将R_nGeCl_4-n（n = 0、2、3）型的氯化或全氯化的有机或非有机锗化合物与六氯乙硅烷在添加催化量的氯化铵盐[R₄N]Cl或鏻盐[R₄P]Cl（基团R = Me、Et、iPr、nBu）的情况下和/或在添加化学计量的量的这些盐的情况下反应。借助本发明的反应获得各种硅-锗化合物。