[发明专利]基板处理装置和基板处理方法在审
申请号: | 202210458973.4 | 申请日: | 2022-04-27 |
公开(公告)号: | CN115332109A | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
发明(设计)人: | 五师源太郎 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,具备:
批处理部,其对包括多个基板的基板组一并进行处理;
单张处理部,其对所述基板组中包括的所述基板逐张地进行处理;以及
搬送部,其在所述批处理部与所述单张处理部之间逐张地交接所述基板,
其中,所述批处理部具有处理槽,所述处理槽用于贮存包含冲洗液的处理液,
所述搬送部具有流体供给部,在从接受到所述处理槽内的所述基板组中包括的所述基板起至将该基板交接到所述单张处理部为止,所述流体供给部向所述处理槽和所述基板中的至少一方供给表面张力比冲洗液的表面张力低的低表面张力流体。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述流体供给部向所述处理槽供给所述低表面张力流体。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述低表面张力流体为异丙醇,
所述处理槽中贮存的所述处理液的异丙醇浓度为10%以上。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,还具备:
浓度计,其测定所述处理槽中贮存的所述处理液的异丙醇浓度;以及
控制部,其控制各部,
其中,所述控制部基于由所述浓度计测定的所述处理液的异丙醇浓度,来从所述流体供给部向所述处理槽供给异丙醇。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述流体供给部具有喷嘴,在将所述基板从所述处理槽中提起时,所述喷嘴向所述基板喷出所述低表面张力流体。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述搬送部具有把持部,所述把持部用于把持所述基板的周缘部,
所述流体供给部朝向所述把持部供给所述低表面张力流体。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述低表面张力流体为异丙醇。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
还具备控制部,所述控制部控制各部,
所述单张处理部具有液处理部,所述液处理部具有将所述基板以能够旋转的方式保持的保持部、向所述基板供给纯水的纯水供给部以及向所述基板供给异丙醇的异丙醇供给部,
所述控制部用纯水对被所述保持部保持的所述基板的表面进行置换,之后用异丙醇对所述基板的表面进行置换。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置,其特征在于,
在向所述基板供给纯水时,所述控制部将所述基板的旋转速度设为不会使所述基板上的所述处理液甩出的旋转速度。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述单张处理部具有干燥处理部,所述干燥处理部将所述基板进行干燥,
所述干燥处理部使表面湿润的状态的所述基板与超临界状态的处理流体接触来使所述基板干燥。
11.一种基板处理方法,包括以下工序:
批处理工序,对包括多个基板的基板组一并进行处理;
单张处理工序,对所述基板组中包括的所述基板逐张地进行处理;以及
搬送工序,在所述批处理工序与所述单张处理工序之间逐张地交接所述基板,
其中,所述批处理工序包括浸渍工序,在所述浸渍工序中,将所述基板组浸在贮存包含冲洗液的处理液的处理槽中,
所述搬送工序包括流体供给工序,在所述流体供给工序中,从接受到所述处理槽内的所述基板组中包括的所述基板起至将所述基板交接到所述单张处理工序为止,向所述处理槽和所述基板中的至少一方供给表面张力比冲洗液的表面张力低的低表面张力流体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造