[发明专利]一种应用于低电源电压ADC的比较器在审
申请号: | 202210466493.2 | 申请日: | 2022-04-29 |
公开(公告)号: | CN114826223A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 林志伦;岳庆华;刘亚东;庄志青 | 申请(专利权)人: | 灿芯半导体(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H03K5/24 | 分类号: | H03K5/24;H03M1/12 |
代理公司: | 上海湾谷知识产权代理事务所(普通合伙) 31289 | 代理人: | 倪继祖 |
地址: | 201203 上海市浦东新区自由*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 应用于 电源 电压 adc 比较 | ||
1.一种应用于低电源电压ADC的比较器,连接正向时钟端和反向时钟端,其特征在于,包括:第一至第二十三MOS管,其中,
所述第一MOS管的栅极接差分输入信号Vi+,源极接所述第三MOS管的漏极;所述第三MOS管的源极接地,栅极连接正向时钟端;所述第二MOS管的栅极接差分输入信号Vi-,源极接所述第四MOS管的漏极;所述第四MOS管的源极接地,栅极连接偏置电压VB;第三MOS管的漏极和第四MOS管的漏极相连;
所述第七MOS管的源极和漏极、第八MOS管的源极和漏极、第五MOS管的源极以及第六MOS管的源极均连接电源;所述第五MOS管的栅极、第六MOS管的栅极以及第二十三MOS管的栅极均连接正向时钟端;所述第五MOS管的漏极与第一MOS管的漏极相连构成第一级反向输出端;第二十三MOS管的漏极、第七MOS管的栅极、第十四MOS管的栅极皆连接到该第一级反向输出端;第六MOS管的漏极与第二MOS管的漏极相连构成第一级正向输出端;第二十三MOS管的源极、第八MOS管的栅极、第十三MOS管的栅极皆连接到该第一级反向输出端;
所述第十三MOS管以及第十四MOS管为第二级的输入差分对,其栅极分别连接第一级正向输出端以及第一级反向输出端;第十三MOS管的漏极连接反向输出端DO-,源极连反向锁存端Vx-;第十四MOS管的源极连接正向输出端DO+,漏极连接正向锁存端Vx+;
所述第十五MOS管的漏极连接到反向输出端DO-,栅极连接到正向锁存端Vx+;
所述第十六MOS管的漏极连接到正向输出端DO+,栅极连接到反向锁存端Vx-;
所述第十七MOS管的漏极连接到反向输出端DO-,栅极连接到第十九MOS管的源极;
所述第十八MOS管的漏极连接到正向输出端DO+,栅极连接到第二十MOS管的源极;
所述第十九MOS管的漏极、第十七MOS管的源极、第十五MOS管的源极、第十六MOS管的源极、第十八MOS管的源极和第二十MOS管的漏极均连接电源;
所述第十九MOS管的栅极连接正向锁存端Vx+,源极连接第二十一MOS管的漏极;
所述第二十MOS管的栅极连接反向锁存端Vx-,源极连接第二十二MOS管的漏极;
所述第二十一MOS管的源极、第九MOS管的源极、第十一MOS管的源极、第十二MOS管的源极、第十MOS管的源极和第二十二MOS管的源极均接地;
所述第二十一MOS管的漏极连接第十九MOS管的源极,栅极接反向时钟端;第九MOS管的漏极连接反向锁存端Vx-,栅极接反向时钟端;
所述第十一MOS管的栅极正向锁存端Vx+,漏极连接反向锁存端Vx-;
所述第二十二MOS管的漏极正向锁存端Vx+,栅极接反向时钟端;第十MOS管的漏极正向锁存端Vx+,栅极接反向时钟端;
所述第十二MOS管的栅极连接反向锁存端Vx-,漏极连接正向锁存端Vx+。
2.根据权利要求1所述的应用于低电源电压ADC的比较器,其特征在于,还包括由两个反相器串联形成的串联支路,该串联支路的输入端接收时钟信号,输出端作为正向时钟端;两个反相器的相接端作为反向时钟端。
3.根据权利要求1所述的应用于低电源电压ADC的比较器,其特征在于,所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十九MOS管、第二十MOS管、第二十一MOS管和第二十二MOS管均为NMOS管;
所述第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管、第十五MOS管、第十六MOS管、第十七MOS管、第十八MOS管和第二十三MOS管均为PMOS管。
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