[发明专利]发声器件和音频设备

权利要求书

1.一种发声器件，其特征在于，包括：

导磁板；

第一磁路结构，包括相连接的第一磁体和第一华司，所述第一磁体设于所述导磁板，所述第一华司固接于所述第一磁体的远离所述导磁板的一侧，所述第一华司包括第一子华司和间隔环设于所述第一子华司外的第二子华司，所述第一子华司和所述第二子华司之间形成有高音磁间隙；

第二磁路结构，设于所述导磁板，并间隔环设于所述第一磁路结构外，至少所述第二子华司和所述第二磁路结构之间形成有低音磁间隙；

低音振膜、低音音圈，所述低音音圈设于所述低音振膜的靠近所述导磁板的一侧，并对应所述低音磁间隙设置；以及

高音振膜、高音音圈，所述高音振膜包括边缘部和中心部，所述高音音圈连接于所述边缘部和所述中心部之间，并对应所述高音磁间隙设置，其中至少所述边缘部设置为平面结构。

2.如权利要求1所述的发声器件，其特征在于，所述第一磁体包括分体设置的第一子磁体和第二子磁体，所述第二子磁体环设于所述第一子磁体外，所述第一子磁体的充磁方向与所述第二子磁体的充磁方向相反，所述第一子华司固定连接于所述第一子磁体，所述第二子华司固定连接于所述第二子磁体；

所述第一子磁体的充磁方向与所述第二磁路结构的磁体的充磁方向相同。

3.如权利要求2所述的发声器件，其特征在于，所述第一子磁体和所述第二子磁体之间的间隙小于所述第一子华司和所述第二子华司之间的间隙。

4.如权利要求1所述的发声器件，其特征在于，所述发声器件正对所述中心部设有用于辐射所述高音振膜声波的出音孔，所述出音孔对应所述低音振膜的中心区域设置，所述低音振膜位于所述高音振膜的远离所述导磁板的一侧，所述低音振膜设置有避让所述出音孔的避让孔。

5.如权利要求4所述的发声器件，其特征在于，所述发声器件还包括盖体，所述盖体设于所述高音振膜远离所述导磁板的一侧，并盖设于所述第二子华司，所述盖体设置有所述出音孔，所述出音孔相对所述避让孔设置，且所述低音振膜对应所述避让孔的内周固定于所述盖体。

6.如权利要求5所述的发声器件，其特征在于，所述盖体的远离所述导磁板的一侧凸设有连通所述出音孔的出音筒；

和/或，所述盖体的靠近所述导磁板的一侧设置有覆盖所述出音孔的防尘网。

7.如权利要求5所述的发声器件，其特征在于，所述低音振膜包括内折环、外折环以及设于所述内折环和所述外折环之间的平面部，所述内折环对应所述避让孔的内周固定于所述盖体，所述盖体和所述内折环呈仿形结构。

8.如权利要求5所述的发声器件，其特征在于，所述发声器件还包括辅助磁体，所述辅助磁体固设于所述盖体上，所述辅助磁体正对所述出音孔的位置设有连通孔。

9.如权利要求1所述的发声器件，其特征在于，所述中心部朝背离所述高音音圈的方向凸设，或者所述中心部为平面结构。

10.如权利要求9所述的发声器件，其特征在于，所述发声器件正对所述中心部设有用于辐射所述高音振膜声波的出音孔，所述出音孔的中心轴线和所述中心部的中心轴线重合。

11.如权利要求1至10任一项所述的发声器件，其特征在于，所述高音振膜的厚度范围为25微米至50微米；

和/或，所述高音振膜的材质为PEN材质或CP材质或芳纶材质。

12.一种音频设备，其特征在于，包括权利要求1至11任一项所述的发声器件。

13.如权利要求12所述的音频设备，其特征在于，所述音频设备为耳机。