[发明专利]减少源漏极短路的方法及静态随机存储器

权利要求书

1.一种减少源漏极短路的方法，该方法包括以下步骤：S1、提供衬底，所述衬底上分布有间隔设置的第一沟槽隔离区，所述衬底及所述第一沟槽隔离区的顶端沉积有自下而上依次分布的体硅层、OPL层、抗反射层、光刻胶层；

S2、采用光刻工艺对所述OPL层的中部刻蚀，获得刻蚀槽；

S3、将所述光刻胶层去除，使所述抗反射层的顶端露出；

S4、在所述刻蚀槽的内表面及所述抗反射层的顶端沉积第一蚀刻层；

S5、在所述第一刻蚀层的顶端沉积第二蚀刻层；

S6、采用光刻工艺对所述第一刻蚀层、第二刻蚀层进行刻蚀，将所述OPL层上方的所述第一刻蚀层、第二刻蚀层去除，同时将所述刻蚀槽内部的部分第一刻蚀层、第二刻蚀层去除，获取隔离层，所述隔离层的宽度等于相邻两个晶体管源漏极之间的最小间距；

S7、去除所述隔离层两侧的OPL层；

S8、使所述隔离层两侧的所述体硅层生长出源漏极。

2.根据权利要求1所述的一种减少源漏极短路的方法，其特征在于，所述光刻胶层包括相邻布置的第一光刻胶层、第二光刻胶层，所述第一光刻胶层与所述第二光刻胶层之间设置有间隙，所述间隙的宽度与相邻晶体管源漏极之间的最小间距相等。

3.根据权利要求2所述的一种减少源漏极短路的方法，其特征在于，所述间隙的宽度、刻蚀槽的宽度、隔离层的宽度均相等，所述间隙的宽度、刻蚀槽的宽度、隔离层的宽度最小均为30.3nm。

4.根据权利要求3所述的一种减少源漏极短路的方法，其特征在于，所述第一蚀刻层的材质为SiN，厚度为

5.根据权利要求4所述的一种减少源漏极短路的方法，其特征在于，所述第二刻蚀层的材质为SiO₂，厚度为

6.根据权利要求5所述的一种减少源漏极短路的方法，其特征在于，所述隔离层包括所述第一刻蚀层、第二刻蚀层，所述隔离层的厚度为

7.根据权利要求6所述的一种减少源漏极短路的方法，其特征在于，所述源漏极的材质为锗硅。

8.一种静态随机存储器，所述静态随机存储器包括至少两个相邻分布的晶体管，所述晶体管均包括源漏极，其特征在于，相邻两个所述晶体管的源漏极之间设置有隔离层，所述隔离层采用权利要求1或7所述的减少源漏极短路的方法制备获得。

9.根据权利要求8所述的静态随机存储器，其特征在于，两个相邻晶体管源漏极之间的最小宽度为30.3nm，最大宽度为46.3nm。

10.根据权利要求9所述的静态随机存储器，其特征在于，所述晶体管为平面晶体管或鳍形场效应晶体管。