[发明专利]存储器及存储器的形成方法

说明书

一种存储器及存储器的形成方法，存储器包括：衬底，所述衬底包括第一区、第二区和第三区，所述第二区位于第一区两侧，且所述第二区位于第一区和第三区之间；位于衬底第二区上的浮栅极结构；位于浮栅极结构上的第一侧墙；位于浮栅极结构侧壁的第一栅极结构，所述第一栅极结构与所述浮栅极结构电连接；位于所述第一栅极结构表面的介质结构；位于所述介质结构表面的源线结构，所述源线结构还位于所述第一区表面；位于第三区上的字线栅极结构。所述存储器的性能得到提升。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种存储器及存储器的形成方法。

背景技术

在目前的半导体产业中，集成电路产品主要可分为三大类型：模拟电路、数字电路和数/模混合电路，其中，存储器是数字电路中的一个重要类型。而在存储器中，近年来快闪存储器(Flash Memory，简称闪存)的发展尤为迅速。闪存的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储信息，且具有集成度高、存储速度快、易于擦除和重写等优点，因此，在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。

快闪存储器分为两种类型：叠栅(stack gate)快闪存储器和分栅(split gate)快闪存储器。叠栅快闪存储器具有浮栅和位于浮栅的上方的控制栅。叠栅快闪存储器存在过擦除的问题。与叠栅快闪存储器不同的是，分栅快闪存储器在浮栅的一侧形成作为擦除栅极的字线。分栅快闪存储器能有效的避免过擦除效应。

然而，现有的分栅快闪存储器的性能较差。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种存储器及存储器的形成方法，以提升分栅快闪存储器的性能。

为解决上述技术问题，本发明技术方案提供一种存储器，包括：衬底，所述衬底包括第一区、第二区和第三区，所述第二区位于第一区两侧，且所述第二区位于第一区和第三区之间；位于衬底第二区上的浮栅极结构；位于浮栅极结构上的第一侧墙；位于浮栅极结构侧壁的第一栅极结构，所述第一栅极结构与所述浮栅极结构电连接；位于所述第一栅极结构表面的介质结构；位于所述介质结构表面的源线结构，所述源线结构还位于所述第一区表面；位于第三区上的字线栅极结构。

可选的，还包括：位于浮栅极结构上的擦除栅极结构，所述擦除栅极结构暴露出所述浮栅极结构顶部顶表面；所述第一侧墙位于擦除栅极结构上。

可选的，还包括：位于擦除栅极结构侧壁表面的隔离结构；所述第一栅极结构位于所述隔离结构表面，所述第一栅极结构与所述浮栅极结构电连接。

可选的，部分所述隔离结构还位于所述擦除栅极结构上。

可选的，所述隔离结构在沿所述第一区、第二区和第三区排列方向上的截面图形为“L“型。

可选的，所述第一栅极结构包括位于隔离结构表面的第一栅极层以及位于第一栅极层表面和位于隔离结构上的第二栅极层，所述第二栅极层位于所述浮栅极结构上。

可选的，所述源线结构包括位于介质结构表面的第一源线层以及位于第一源线层表面和第一区表面的第二源线层。

可选的，还包括：位于第一区内的第一掺杂区；所述源线结构与第一掺杂区电连接。

可选的，还包括：位于第一区内和第二区内的第二掺杂区，所述第一掺杂区位于所述第二掺杂区内，所述第一掺杂区的导电类型与第二掺杂区的导电类型相反。

可选的，所述第二掺杂区的导电类型为P型，所述第一掺杂区的导电类型为N型。

可选的，还包括：位于第一侧墙侧壁表面、擦除栅结构侧壁表面以及浮栅极结构侧壁表面的第二侧墙。

可选的，所述字线栅极结构包括：位于第二侧墙侧壁表面和第三区表面的字线栅介质层，以及位于字线栅介质层表面的字线栅极层。