[发明专利]深沟槽MOSFET终端结构及其制作方法

权利要求书

1.一种深沟槽MOSFET终端结构，其特征在于，包括：

衬底和外延层，所述外延层位于所述衬底的一侧，所述外延层远离所述衬底的一侧包括多个沟槽，沿MOSFET终端结构远离MOSFET有源区的方向所述多个沟槽依次排列；

氧化层和多晶硅层，所述氧化层位于所述沟槽内，所述多晶硅层内嵌于所述氧化层中，所述氧化层暴露所述多晶硅层远离所述衬底的表面；

体区，所述体区形成于所述外延层远离所述衬底的一端中，所述体区位于所述沟槽的两侧；

漏极金属，所述漏极金属位于所述衬底远离所述外延层的一侧；

多个场限环，所述场限环与所述沟槽一一对应，所述场限环位于对应的所述沟槽的底部的所述外延层内；其中，沿MOSFET终端结构远离MOSFET有源区的方向，所述多个沟槽的沟槽深度呈减小趋势。所述多个沟槽间距相等或呈增加趋势。

2.根据权利要求1所述的深沟槽MOSFET终端结构，其特征在于，所述外延层远离所述衬底的一侧包括至少两个所述沟槽；

沿MOSFET终端结构远离MOSFET有源区的方向，所述至少两个沟槽的沟槽深度依次减小。

3.根据权利要求1所述的深沟槽MOSFET终端结构，其特征在于，所述外延层远离所述衬底的一侧包括至少三个所述沟槽；

沿MOSFET终端结构远离MOSFET有源区的方向，前两个所述沟槽的沟槽深度相同，第三个及其之后的所述沟槽的沟槽深度相同，前两个所述沟槽的沟槽深度大于第三个所述沟槽的沟槽深度。

4.根据权利要求1所述的深沟槽MOSFET终端结构，其特征在于，所述源区、所述外延层和所述衬底的掺杂离子的类型相同；

所述体区和所述场限环的掺杂离子的类型相同。

5.一种半导体器件，其特征在于，包括有源区和如权利要求1-4任一项所述的深沟槽MOSFET终端结构；

所述有源区位于所述半导体器件的中心，所述深沟槽MOSFET终端结构作为所述半导体器件的终端保护区，所述终端保护区位于所述有源区的外圈且环绕包围所述有源区。

6.一种深沟槽MOSFET终端结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底，并在所述衬底的一侧形成外延层，以及在所述外延层远离所述衬底的一侧形成多个沟槽，其中，沿MOSFET终端结构远离MOSFET有源区的方向所述多个沟槽依次排列，并且所述多个沟槽的沟槽深度呈减小趋势；

在所述沟槽的底部的外延层内形成对应的场限环，所述场限环与所述沟槽一一对应；

在所述沟槽内形成氧化层和多晶硅层，所述多晶硅层内嵌于所述氧化层中，所述氧化层暴露所述多晶硅层远离所述衬底的表面；

在所述外延层远离所述衬底的一端中形成体区，所述体区位于所述沟槽的两侧；

在所述衬底远离所述外延层的一侧形成漏极金属。

7.根据权利要求6所述的深沟槽MOSFET终端结构的制作方法，其特征在于，在所述外延层远离所述衬底的一侧形成多个沟槽包括：

在所述外延层远离所述衬底的一侧形成m个第u-1级基础沟槽，沿MOSFET终端结构远离MOSFET有源区的方向，所述m个第u-1级基础沟槽依次排列，m≥2，m为正整数；

遮挡从后至前的至少一个且至多m-1个所述第u-1级基础沟槽，并将未遮挡的所述第u-1级基础沟槽刻蚀为第u级基础沟槽，所述第u级基础沟槽的沟槽深度大于所述第u-1级基础沟槽的沟槽深度，n≥u≥2，n和u均为正整数，所述第1级基础沟槽至所述第n级基础沟槽构成沿MOSFET终端结构远离MOSFET有源区的方向依次排列且沟槽深度呈减小趋势的所述多个沟槽。

8.根据权利要求7所述的深沟槽MOSFET终端结构的制作方法，其特征在于，遮挡从后至前的至少一个且至多m-1个所述第u-1级基础沟槽包括：采用光刻胶将从后至前的至少一个且至多m-1个所述第u-1级基础沟槽进行填充以将其遮挡。

9.根据权利要求6所述的深沟槽MOSFET终端结构的制作方法，其特征在于，在所述沟槽的底部的外延层内形成对应的场限环包括：在所述沟槽的底部的外延层内进行对应的掺杂离子的注入，形成对应的场限环，所述体区和所述场限环的掺杂离子的类型相同。