[发明专利]研磨轮喷水时长自动确定方法、装置及存储介质

说明书

本申请实施例提供一种研磨轮喷水时长确定方法、装置及存储介质，当预设数据库中未存储预设数据量与标识信息的对应关系后，便发送警示信息，用户在接收到警示信息之后，便可实现对喷水时长计算模型的自动设置，主要包括设置喷水时长计算模型中的研磨时长的最高次幂、多项式中各项的系数，如果用户需要根据研磨时长的范围设定不同的喷水时长计算模型，那么后台同时推送包括研磨时长范围的请求信息，进而以供用户根据需求对喷水时长计算模型进行设定。

技术领域

本发明涉及一种研磨轮喷水时长自动确定方法、装置及存储介质，具体涉及一种半导体工艺中研磨后清洗时长确定技术领域。

背景技术

随着半导体芯片制造技术的发展，200mm及以上晶圆的化学机械平坦化工艺(chemical mechanical planarization,后简称CMP)在芯片生产中的作用和要求也就越来越高。这对CMP研磨机台的性能要求也是越来越严格，包括wafer厚度的均匀度，defect等等要求越来越高。

目前困扰CMP wafer研磨时的defect主要包括macro scratch(大划伤)，microscratch(小划伤)和surface particle(表面不良)等现象。 CMP研磨时的defect控制，成为CMP所面对和要解决的难题。目前CMP的 defect控制除了CMP机台自身的清洗以外，通常还需要增加一步湿法清洗，包括DIW水洗，brush刷洗或者酸洗等等。

CMP的这些defect通常是由外界掉入，损耗的耗材掉到研磨或清洗工艺中，研磨副产物形成的结晶等造成。为了保持研磨过程中的工艺清洁，通常在wafer研磨后会对研磨垫执行清洗工艺，但是现有技术方案中，通常是设定固定清洗程序控制，而设置的固定清洗控制程序，针对需要不同清洁程度的wafer采用统一的清洗时长及清洗长度，这就造成对一些研磨时间长的产品清洁度不够，从而形成micro或者macro scratch。

因此，现有技术中缺少一种根据实际研磨过程灵活确定清洗时长的技术方案。

发明内容

本申请实施例提供一种研磨轮喷水时长自动确定方法、装置及存储介质，以解决“现有技术中缺少一种根据实际研磨过程灵活确定清洗时长的技术方案”的技术问题。

第一方面，根据本申请实施例提供一种研磨轮喷水时长自动确定方法，包括如下步骤：

接收用户信息，根据所述用户信息确定用户标识信息；

如果预设数据库中存储有所述用户标识信息，则根据所述用户标识信息从预设数据库中选取预先训练好的喷水时长计算模型；针对目标用户标识信息，预设数据库中用户标识信息与喷水时长计算模型的对应关系；

基于选取的喷水时长计算模型确定第一拟合喷水时长，并基于拟合喷水时长对研磨轮进行清洗；所述清洗包括酸洗和水洗。

在一个实施例中，所述方法，还包括：

如果预设数据库中未存储所述用户标识信息与预先训练好的喷水时长计算模型的对应关系，则发送预设警示信息，并接收预设数量的研磨时长- 需求喷水时长数据组；

基于所述预设数量的研磨时长-需求喷水时长数据组拟合第一目标喷水时长求取模型。

在一个实施例中，所述基于所述预设数量的研磨时长-需求喷水时长数据组拟合第一喷水时长数学模型，包括：

将预设数量的研磨时长-需求喷水时长数据组中的研磨时长存放至第一数据组，并将对应的需求喷水时长存放至第二数据组；

将第一数据组中的每个研磨时长带入预先存储的每个数学模型中，得到对应的喷水时长数据组；每个喷水时长数据组中存储有第一数据组中的研磨时长，及根据第一数据组中的研磨时长及对应的数学模型计算得到的第一拟合喷水时长；