[发明专利]一种双轴励磁调相机深度进相下的控制方法及系统在审
申请号: | 202210471101.1 | 申请日: | 2022-04-28 |
公开(公告)号: | CN115967321A | 公开(公告)日: | 2023-04-14 |
发明(设计)人: | 李志强;郭强;李文锋;肖洋 | 申请(专利权)人: | 中国电力科学研究院有限公司 |
主分类号: | H02P21/22 | 分类号: | H02P21/22;H02P9/10;H02P9/36 |
代理公司: | 北京工信联合知识产权代理有限公司 11266 | 代理人: | 姜丽辉 |
地址: | 100192 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双轴励磁 调相 深度 进相下 控制 方法 系统 | ||
1.一种双轴励磁调相机深度进相下的控制方法,其特征在于,所述方法包括:
确定双轴励磁调相机的类型和运行工况;
根据双轴励磁调相机的类型和运行工况,确定控制策略;
基于所述控制策略对双轴励磁调相机进行控制,以使得双轴励磁调相机在深度进相工况下保持安全稳定运行。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述双轴励磁调相机的类型,包括:d轴单独提供励磁磁场的双轴励磁调相机和d、q轴共同提供励磁磁场的双轴励磁调相机。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据双轴励磁调相机的类型和运行工况,确定控制策略,包括:
对于d轴单独提供励磁磁场的双轴励磁调相机,当dω0,θ∈[θ0,π/2],且Ifd0或Eq0时,确定控制策略为:通过降低q轴正方向的励磁电流Ifq+,降低d轴负方向的励磁电动势Ed;其中,q轴励磁控制为非必须项;
当dω0,θ∈[π/2,π-θ0,],且Ifd0或Eq0时,确定控制策略为:通过降低q轴正方向的励磁电流Ifq+或提高q轴反方向的励磁电流Ifq-,降低d轴负方向的励磁电动势Ed-或提高d轴正方向的励磁电动势Ed+;
当dω0,θ∈[-π/2,θ0],且Ifd0或Eq0时,确定控制策略为:通过降低q轴负方向的励磁电流Ifq-,降低d轴正方向的励磁电动势Ed+;其中,q轴励磁控制为非必须项;
当dω0,θ∈[-π-θ0,-π/2],且Ifd0或Eq0时,确定控制策略为:通过降低q轴负方向的励磁电流Ifq-,降低d轴正方向的励磁电动势Ed+;
其中,θ为机端电压U与d、q轴合成感应电动势E∑之间的夹角;θ0为机端电压U超前Eq的角度;Ifd为d轴励磁电流;Eq为q轴励磁感应电动势,由d轴电流产生;Ed为d轴励磁感应电动势,由q轴励磁电流产生;Ed-为d轴负方向的励磁感应电动势;Ed+为d轴正方向的励磁感应电动势;Ifq-为q轴负方向的励磁电流;Ifq+为q轴正方向的励磁电流。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电力科学研究院有限公司,未经中国电力科学研究院有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210471101.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种化妆瓶
- 下一篇:包括裂纹传感器的半导体装置