[发明专利]二硫化钼在电解分离氢同位素中的应用有效
| 申请号： | 202210473879.6 | 申请日： | 2022-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN114768530B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 赵庆凯;王绪;唐灿;陈长安;庞敏;王怡;李顺;刘春雨 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院材料研究所 |
| 主分类号： | B01D59/40 | 分类号： | B01D59/40 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王苗苗 |
| 地址： | 621700 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二硫化钼 电解 分离 氢同位素 中的 应用 | ||
1.二硫化钼在电解分离氢同位素中的应用，其特征在于，所述二硫化钼的结构为纳米花状，所述二硫化钼的比表面积为20.8～97.7m2/g；
所述应用时，利用三电极系统对含氢同位素电解液进行电解；
所述三电极系统，包括对电极、参比电极和工作电极；
所述对电极为石墨电极，所述参比电极为Ag/AgCl电极；
所述工作电极为修饰电极；
所述修饰电极为玻碳电极基体和负载在所述玻碳电极基体表面的二硫化钼；
所述电解分离氢同位素时，氢氘分离因子为8.55～10.22。
2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述二硫化钼的制备方法，包括以下步骤：
将钼源和硫源混合，进行水热反应，得到所述二硫化钼；所述水热反应的温度为140～200℃，时间为18～24h。
3.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述玻碳电极基体上二硫化钼的负载量为0.2～0.6mg/cm2。
4.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述修饰电极的制备，包括以下步骤：
将二硫化钼、Nafion溶液和极性溶剂混合，得到分散液；
将所述分散液涂覆于玻碳电极后干燥，得到所述修饰电极。
5.根据权利要求4所述的应用，其特征在于，所述Nafion溶液的质量浓度为5％。
6.根据权利要求4所述的应用，其特征在于，所述二硫化钼的质量和所述Nafion溶液的体积比为2～4mg：10～100μL。
7.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述电解的温度为5～25℃，所述电解的电流为10～20mA。
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