[发明专利]集成电路器件模型提取参数的数据选取方法、系统及装置

说明书

本发明公开了集成电路器件模型提取参数的数据选取方法、系统及装置，该方法中，接收集成电路器件的测试数据集，配置至少三种不同的筛选条件，且对各筛选条件设置若干偏置属性；将筛选条件以及偏置属性以标签形式填入，以生成映射表单；根据筛选条件对若干测试数据进行一次固定筛选分类后，再利用偏置属性进行二次自定义筛选，将筛选结果映射到映射表单的对应标签下，构建不同筛选结果中自定义测试数据的关联关系，并以集合形式存储每次筛选的自定义测试数据；对集成电路器件的器件模型进行拟合以进行条件实例化，调整偏置属性，实现数据的选择目的。本发明实现了偏置数据的灵活选取，并且不额外增加流程设置复杂度。

技术领域

本发明涉及集成电路计算机辅助设计技术领域，尤其涉及一种集成电路器件模型提取参数的数据选取方法、系统及装置。

背景技术

半导体和集成电路技术的持续发展使得集成电路计算机辅助设计(CAD)或电子设计自动化(EDA)平台的重要性愈发突出。EDA平台的一个基础性功能是器件模型的参数提取，也即基于一些标准器件模型来提取以特定集成电路制程制造的半导体器件的模型参数。在经提取得到模型参数后，结合对应的标准器件模型，半导体器件的各种工作特性就可以被以数学的方式描绘,从而用于后续电路设计时的器件仿真。

BSIM模型是由美国加州大学伯克利分校开发的金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)模型，其适用于数字和模拟电路设计和仿真。在实际的参数提取操作中，可以通过选取与实际MOSFET器件对应的各种BSIM模型(例如BSIM4、BSIM-Bulk、BSIM-CMG等)来处理MOSFET器件的测试数据(例如，不同尺寸MOSFET的I-V曲线C-V曲线等)，MOSFET器件的模型参数就可以被提取出来。

现有已公开用于提取集成电路器件的器件模型参数的技术方案，用以解决模型参数提取时处理大量测试数据导致耗费大量时间以及计算资源的缺陷，并以此提高模型参数的准确性。但是在实际应用过程中发现该技术方案：由于器件数据所反映出的行为区域通过分析，进行准确划分、选取，是集成电路器件模型参数提取流程策略中的关键环节之一，但由于器件数据根据不同提取流程的环节及策略，会存在诸多灵活的偏置条件设置需求，为避免重复执行数据提取步骤导致运算量加大的问题，可复用的数据选取方法会成为实现器件模型参数提取的流程策略需要，从而有必要对集成电路器件模型提取参数的数据选取进行改进。

发明内容

本申请实施例通过提供一种集成电路器件模型提取参数的数据选取方法、系统及装置，解决了现有技术中器件模型参数提取的流程中会根据偏置条件设置需求重复执行数据提取步骤，实现了根据预先配置带有偏置属性的映射表单，在执行器件模型的拟合操作时，可以通过调整映射表单中的偏置属性直接实现不同筛选结果的自定义测试数据集对器件模型进行拟合，而避免了重复执行数据提取操作的技术问题。

第一方面，本申请实施例提供了一种集成电路器件模型提取参数的数据选取方法，所述方法包括：

接收所述集成电路器件的测试数据集，所述测试数据集中包括不同测试条件下对所述集成电路器件测试得到的若干种测试数据；

响应于可视化操作界面中配置有用户自定义条件筛选设置界面，通过所述条件筛选设置界面配置至少三种不同的筛选条件，且对各所述筛选条件设置若干偏置属性；将所述筛选条件以及所述偏置属性以标签形式填入，以生成映射表单；

响应于预先配置有数据库，在获取所述测试数据后，根据所述筛选条件对所述若干测试数据进行一次固定筛选分类后，再利用所述偏置属性进行二次自定义筛选，将筛选结果映射到所述映射表单的对应标签下，构建不同筛选结果中自定义测试数据的关联关系，并以集合形式存储每次筛选的自定义测试数据；

利用所述自定义测试数据集对所述集成电路器件的器件模型进行拟合，根据所述关联关系进行所述自定义测试数据的条件实例化，通过调整所述偏置属性，实现对所述自定义测试数据的选择。