[发明专利]半导体结构及其制备方法、半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底具有沟槽；

利用原子层沉积工艺在所述沟槽的内壁上形成第一氧化层；

利用原位水汽生成工艺在所述第一氧化层和所述沟槽的内壁之间形成第二氧化层，所述第二氧化层和所述第一氧化层的材料相同；

以所述第二氧化层为刻蚀停止层，利用蚀刻工艺蚀刻去除部分所述第一氧化层，重复执行多次所述蚀刻工艺，直至完全去除所述第一氧化层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，每次执行的所述蚀刻工艺包括：

提供蚀刻气体，使所述蚀刻气体与所述第一氧化层的表面反应生成反应核；

在一预设时间后，提供清洁气体，吹走所述蚀刻气体和所述反应核。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预设时间为0.3s～3s。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述重复执行所述蚀刻工艺的次数为5～100次。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述蚀刻气体包括HF和NH₃的混合气体。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述HF和所述NH₃的流量比为0.8～1.2。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述清洁气体为N₂和/或惰性气体。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为2nm～5nm，所述第二氧化层的厚度为6nm～10nm。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一氧化层和所述第二氧化层的材料分别包括氧化硅、氮氧化硅中的至少一种。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沟槽的关键尺寸为10nm～25nm。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：在去除所述第一氧化层后，在具有所述第二氧化层的所述沟槽中形成字线层，所述字线层的顶面低于所述沟槽的开口。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用原位水汽生成工艺在形成所述第二氧化层时的压力小于20Torr。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，利用原位水汽生成工艺在形成所述第二氧化层时的温度为800℃～1200℃。

14.一种半导体结构，其特征在于，由权利要求1至13中任一项所述的方法制备。

15.一种半导体存储装置，其特征在于，包括：

如权利要求14所述的半导体结构；

电容器结构，与所述半导体结构电连接。