[发明专利]一种医用钛锆基合金的梯度结构CHA涂层及其制备技术

权利要求书

1.一种医学植入材料用TZ30钛锆基合金表面梯度结构CHA涂层及其制备方法，其特征在于它包括如下步骤：（1）切割；（2）清洗及干燥；（3）电化学刻蚀；（4）电化学沉积；（5）碱热处理；（6）清洗及干燥。

2.根据权利要求1所述的医学植入材料用TZ30钛锆基合金表面梯度结构CHA涂层及其制备方法，其特征在于：所述钛锆基合金通过电化学刻蚀技术获得表面微纳结构，其主要电化学刻蚀参数为：0.5 mol/L NaBr溶液中，外加电流密度为500 mA/cm²，电解液的温度保持在10℃，持续刻蚀5分钟。

3.根据权利要求1所述的医学植入材料用TZ30钛锆基合金表面梯度结构CHA涂层及其制备方法，其特征在于：所述钛锆基合金通过电化学沉积技术获得表面梯度CHA涂层，其主要电化学沉积参数为：电解液组成未0.042 mol/L Ca(NO₃)₂、0.025 mol/L (NH₄)₂HPO₄和0.1mol/L NaCl，电解液温度保持90℃；使用NH₃•H₂O和HNO₃将pH值调节至4.4；蚀刻后的TZ30试样做阴极，铂板做阳极；恒定电压为3 V；沉积时间为30 ~ 120分钟。

4.根据权利要求1所述的医学植入材料用TZ30钛锆基合金表面梯度结构CHA涂层及其制备方法，其特征在于：所述钛锆基合金通过复合电化学技术获得表面梯度CHA涂层，其特征为底层是致密层，中间层为片层状疏松层，表面为花瓣状多孔层。

5.根据权利要求1所述的医学植入材料用TZ30钛锆基合金表面梯度结构CHA涂层及其制备方法，其特征在于：所述钛锆基合金通过复合电化学技术获得表面梯度CHA涂层，其性能特征为：与基体的结合强度均在可接受范围，在模拟体液中的耐腐蚀电位为-325.24 mV到-215.43 mV，腐蚀电流密度为2.1673 μA/cm²到0.8124 μA/cm²。