[发明专利]一种提高铪基铁电器件性能的退火方法在审
申请号: | 202210477409.7 | 申请日: | 2022-05-04 |
公开(公告)号: | CN114937599A | 公开(公告)日: | 2022-08-23 |
发明(设计)人: | 薛堪豪;白娜;孙华军;缪向水 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学;湖北江城实验室 |
主分类号: | H01L21/335 | 分类号: | H01L21/335;H01L29/78;H01L21/324 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 许恒恒 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 铪基铁电 器件 性能 退火 方法 | ||
1.一种提高铪基铁电器件性能的退火方法,铪基铁电器件包括铪基铁电功能层、以及分别位于该铪基铁电功能层两侧的第一电极和第二电极;其特征在于,所述第一电极和所述第二电极的电极材料互不相同;根据电极材料的氧化难易程度,记第一电极和第二电极中,相对较不易氧化的电极为惰性电极,相对较易氧化的电极为对电极;
退火方法是利用退火炉对铪基铁电器件进行快速热退火;退火过程中,通过控制退火炉的加热排灯,仅使用靠近惰性电极的单侧排灯对铁电器件进行加热,使加热升温过程中炉内惰性电极处的温度高于对电极处的温度;
所述快速热退火在预设的目标退火温度下的保温时间不长于60s;利用快速热退火,能够提升铪基铁电层的结晶程度,促进铪基铁电功能层中o相的占比,进而提升铪基铁电器件的剩余极化强度。
2.如权利要求1所述提高铪基铁电器件性能的退火方法,其特征在于,所述第一电极和所述第二电极的电极材料选自:Pt、TiN、Ru、Ir、W、Au、TaN、Ni;
优选的,第一电极为Pt,第二电极为TiN;此时,所述惰性电极为Pt,所述对电极为TiN。
3.如权利要求1所述提高铪基铁电器件性能的退火方法,其特征在于,所述铪基铁电器件是基于HfxZryO2铁电材料器件,其中,x为大于0的正数,y为大于0的正数,并且x+y2;
优选的,所述HfxZryO2中,x:y优选为1:1。
4.如权利要求3所述提高铪基铁电器件性能的退火方法,其特征在于,所述HfxZryO2对应的铁电层结构具体为固溶体、类超晶格、双层堆积或掺杂。
5.如权利要求1所述提高铪基铁电器件性能的退火方法,其特征在于,所述退火是在真空、N2或O2下进行的;优选是在N2下进行的。
6.如权利要求1所述提高铪基铁电器件性能的退火方法,其特征在于,退火开始前,是先对退火炉进行抽真空处理,使退火炉腔内真空度满足2.1*10-2hPa~2.1*10-4hPa,更优选为4.2*10-2hPa。
7.如权利要求1所述提高铪基铁电器件性能的退火方法,其特征在于,所述退火炉中,靠近惰性电极的单侧排灯的总额定功率为10kw。
8.如权利要求7所述提高铪基铁电器件性能的退火方法,其特征在于,所述退火炉的温度程序依次包括:升温至目标退火温度的升温阶段、温度满足目标退火温度的保温阶段、以及自目标退火温度降温的降温阶段;
在升温阶段,对于所述靠近惰性电极的单侧排灯,其功率为100%;
在保温阶段,对于所述靠近惰性电极的单侧排灯,其功率为20%~40%;
在降温阶段,对于所述靠近惰性电极的单侧排灯,其功率为0。
9.如权利要求8所述提高铪基铁电器件性能的退火方法,其特征在于,在降温阶段,降温速率为10℃/s~150℃/s,更优选为50℃/s。
10.如权利要求1所述提高铪基铁电器件性能的退火方法,其特征在于,所述预设的目标退火温度为400℃~700℃;优选退火温度为600℃。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造