[发明专利]一种提升p型含氧金属化合物薄膜迁移率的方法

权利要求书

1.一种提升p型含氧金属化合物薄膜迁移率的方法，其特征在于：通过在p型含氧金属化合物薄膜中掺杂原子，所掺杂的原子的最外围轨道能和氧2p轨道形成化学键，能提高价带顶部的散度和增加价带顶的斜率；其中，所掺杂的原子为Li；所述p型含氧金属化合物薄膜是Cu₂O薄膜；本方法使用原子层沉积系统，配备CH₃LiO和C₂₂H₃₈CuO₄前驱金属源，以及配备O₂等离子源，调整CH₃LiO和C₂₂H₃₈CuO₄的流量比，以控制Li的掺杂量，沉积出掺杂Li的氧化亚铜薄膜；或者，

利用磁控溅射法，将Li掺入Cu₂O，包括将重量比30 wt.% Li₂CO₃粉末和70 wt.% Cu₂O粉末热压成一个靶材，通过Ar等离子轰击靶材来沉积出掺杂Li的氧化亚铜薄膜；或者，

所掺杂的原子为Cu；利用磁控溅射法得到Cu掺杂的 Li₂CO₃薄膜，其所使用的靶材是重量比不大于1.65 wt.%的Cu₂O粉末和不小于98.35 wt.%的 Li₂CO₃粉末热压合成的，通过Ar等离子轰击靶材来沉积出掺杂Cu的 Li₂CO₃薄膜。

2.根据权利要求1所述的提升p型含氧金属化合物薄膜迁移率的方法，其特征在于：设置CH₃LiO和C₂₂H₃₈CuO₄的流量比为1:6。

3.根据权利要求1所述的提升p型含氧金属化合物薄膜迁移率的方法，其特征在于：使用衬底来沉积薄膜，并且在沉积过程中，控制衬底温度为180~220℃，沉积后还进行退火，设置退火温度为330~370℃。