[发明专利]一种FeCoNiMn高熵合金薄膜、其制备方法及应用有效
申请号: | 202210479105.4 | 申请日: | 2022-05-05 |
公开(公告)号: | CN114836714B | 公开(公告)日: | 2023-10-03 |
发明(设计)人: | 方峰;丁富远;张泽灵;徐邦利;翁诗雅;周雪峰 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | C23C14/02 | 分类号: | C23C14/02;C23C14/16;C23C14/35 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 211189 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 feconimn 合金 薄膜 制备 方法 应用 | ||
1.一种FeCoNiMn高熵合金薄膜,其特征在于,按质量百分比包含以下组分:Fe:23.1%~36.8%,Co:16.9%~48.9%,Ni:7.4%~20.4%,Mn:7.6%~38.9%。
2.一种权利要求1所述FeCoNiMn高熵合金薄膜的制备方法,其特征在于,采用射频磁控溅射法,将靶材原材料拼接成溅射靶材,至少以一种保护气体为工作气体,在基体表面溅射沉积FeCoNiMn高熵合金薄膜。
3.根据权利要求2所述的FeCoNiMn高熵合金薄膜的制备方法,其特征在于,所述溅射靶材中Fe片拼接比例在90°~120°;Co靶拼接比例在60°~90°;Ni片拼接比例在60°~90°;Mn靶拼接比例在90°~120°。
4.根据权利要求2所述的FeCoNiMn高熵合金薄膜的制备方法,其特征在于,溅射的功率为40W~80W。
5.根据权利要求2所述的FeCoNiMn高熵合金薄膜的制备方法,其特征在于,溅射的时间为1h~3h。
6.根据权利要求2所述的FeCoNiMn高熵合金薄膜的制备方法,其特征在于,所用基体为钛片。
7.根据权利要求2所述的FeCoNiMn高熵合金薄膜的制备方法,其特征在于,所述工作气体为氩气。
8.根据权利要求7所述的FeCoNiMn高熵合金薄膜的制备方法,其特征在于,所用氩气浓度为99.00%~99.99%,氩气流量为20sccm~30sccm,工作气压为0.5Pa~1Pa。
9.一种权利要求1所述FeCoNiMn高熵合金薄膜在电极材料中的应用。
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