[发明专利]用于制造结晶膜的方法

权利要求书

1.一种用于制造结晶膜的方法，包括：

经由含金属的原料气体的供应管将含金属的原料气体供应到反应室中到基板上，并且经由含氧的原料气体的供应管将含氧的原料气体供应到所述反应室中到所述基板上，通过在所述含金属的原料气体的供应管中气化金属源来形成所述含金属的原料气体；以及

经由反应气体的供应气体管将反应气体供应到所述反应室中到所述基板上，以在所述反应气体的气流下将结晶膜形成到所述基板上。

2.如权利要求1所述的方法，其中，

从含卤素的原料气体的供应装置向所述金属源供应含卤素的原料气体以形成含金属的原料气体，所述含金属的原料气体的供应管连接至所述含卤素的原料气体的供应装置，

从反应气体的供应装置供应所述反应气体，所述反应气体的供应气体管连接至所述反应气体的供应装置。

3.如权利要求1所述的方法，其中，

所述反应气体是蚀刻气体。

4.如权利要求1所述的方法，其中，

所述反应气体包括选自卤化氢以及含卤素和氢的组中的至少一种。

5.如权利要求1所述的方法，其中，

所述反应气体包括卤化氢。

6.如权利要求1所述的方法，其中，

所述基板包括布置在所述基板的表面上的不平坦部分。

7.如权利要求6所述的方法，其中，

所述不平坦部分包括至少一个掩模。

8.如权利要求6所述的方法，其中，

所述不平坦部分包括两个或更多个开口。

9.如权利要求1所述的方法，其中，

所述基板是图案化的蓝宝石基板。

10.如权利要求1所述的方法，其中，

在400℃至700℃的范围内的温度下加热所述基板。

11.如权利要求1所述的方法，其中，

所述金属源包括镓。

12.如权利要求1所述的方法，其中，

所述气化所述金属源通过卤化所述金属源来进行。

13.如权利要求1所述的方法，其中，

所述含氧的原料气体包括选自氧(O₂)、水(H₂O)和氧化亚氮(N₂O)中的至少一种。

14.如权利要求1所述的方法，其中，

所述基板包括刚玉结构。

15.如权利要求1所述的方法，其中，

所述结晶膜具有刚玉结构。

16.一种用于生产结晶膜的装置，包括：

反应室，包括基板座；

含金属的原料气体的供应管；

含氧的原料气体的供应管；

反应气体的供应气体管，

其中所述含金属的原料气体的供应管被配置为通过在所述含金属的原料气体的供应管中气化金属源而将所述含金属的原料气体供应至所述反应室中，

其中所述含氧的原料气体的供应管被配置为将所述含氧的原料气体供应至所述反应室中，

其中所述反应气体的供应气体管被配置为向反应室中供应反应气体，并且

其中在经由所述反应气体的供应气体管供应的所述反应气体的气流下，通过经由含金属的原料气体的供应管供应的含金属的原料气体和经由含氧的原料气体的供应管供应的含氧的原料气体的反应，在由所述基板座保持的所述基板上形成结晶膜。