[发明专利]MIM电容器的制作方法及MIM电容器有效
| 申请号： | 202210479541.1 | 申请日： | 2022-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN114583049B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 赵东艳;王于波;王凯;陈燕宁;付振;刘芳;余山;邓永峰;吴波;郁文;刘倩倩 | 申请（专利权）人： | 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;国家电网有限公司;国网重庆市电力公司电力科学研究院 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 李红 |
| 地址： | 102200 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mim 电容器 制作方法 | ||
1.一种MIM电容器的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
在基板上形成下极板；
在下极板表面上沉积导热电阻材料形成第一薄膜电阻层；
在第一薄膜电阻层表面上形成介质层；
在介质层表面上沉积导热电阻材料形成第二薄膜电阻层，使第一薄膜电阻层和第二薄膜电阻层全包覆所述介质层；
在第二薄膜电阻层表面上沉积导电金属材料形成上极板材料层；
对上极板材料层进行刻蚀，形成上极板；
在上极板的上方和侧方沉积氧化物；
利用上极板及上极板侧方的氧化物作为硬掩膜，对介质层进行刻蚀，去掉上极板及上极板侧方的氧化物所覆盖区域以外的介质层；
去掉上极板上方的氧化物，将上极板侧方的氧化物作为氧化物侧墙；
其中，第一薄膜电阻层的导热电阻材料和第二薄膜电阻层的导热电阻材料的温度系数低于10-4 ppm/℃，第一薄膜电阻层和第二薄膜电阻层的方块电阻为10Ω/□。
2.根据权利要求1所述的MIM电容器的制作方法，其特征在于，所述导热电阻材料为SiCr、NiCr、TiNiCr、TaN中任意一种。
3.根据权利要求1所述的MIM电容器的制作方法，其特征在于，所述第一薄膜电阻层的厚度小于1μm，所述第二薄膜电阻层的厚度小于1μm。
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