[发明专利]半导体装置封装及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体装置封装的方法，包括：

将一半导体装置接合到一封装基板的一第一表面；

将一金属盖放置在该半导体装置和该封装基板之上，并在该金属盖与该半导体装置的一顶表面之间提供一金属热界面材料；

加热该金属热界面材料，使得该金属热界面材料熔化；

向下按压该金属盖，使得该熔化的金属热界面材料流向该半导体装置的一边界，且该熔化的金属热界面材料的一横向侧壁的一最外点延伸超出该半导体装置的该边界；

向上抬起该金属盖，使得该熔化的金属热界面材料回流，且该熔化的金属热界面材料的该横向侧壁的该最外点在该半导体装置的该边界内；以及

冷却该熔化的金属热界面材料，以通过该金属热界面材料将该金属盖接合到该半导体装置。

2.如权利要求1所述的形成半导体装置封装的方法，其中使用一热压接合头将该金属盖向下按压，并使用该热压接合头将该金属盖向上抬起。

3.如权利要求1所述的形成半导体装置封装的方法，其中在按压该金属盖之后及抬起该金属盖之前，该熔化的金属热界面材料的该横向侧壁的形状为凸弧形，且该熔化的金属热界面材料在一垂直方向上具有一第一厚度，以及

其中在抬起该金属盖之后，该熔化的金属热界面材料在该垂直方向上具有一第二厚度，该第二厚度大于该第一厚度。

4.如权利要求1所述的形成半导体装置封装的方法，其中在抬起该金属盖之后，该熔化的金属热界面材料的该横向侧壁的该最外点与该半导体装置的该边界对齐，或者在一横向方向上比该半导体装置的该边界更靠近该半导体装置的该顶表面的一中心。

5.如权利要求4所述的形成半导体装置封装的方法，其中在抬起该金属盖之后，该熔化的金属热界面材料的该横向侧壁的形状为直线形。

6.如权利要求1所述的形成半导体装置封装的方法，还包括在该金属盖与该半导体装置的该顶表面之间提供该金属热界面材料之前，用一助焊剂层涂覆该金属热界面材料。

7.如权利要求6所述的形成半导体装置封装的方法，还包括：

在去除该助焊剂残留物之后，将粘合剂施加到该金属盖的该底表面与该封装基板的该第一表面之间的该间隙。

8.如权利要求1所述的形成半导体装置封装的方法，其中加热该金属热界面材料、按压该金属盖、抬起该金属盖以及接合该金属盖在一充满惰性气体的环境中进行。

9.一种半导体装置封装，包括：

一封装基板，具有一第一表面；

一半导体装置，设置在该封装基板的该第一表面之上；

一金属盖，设置在该半导体装置和该封装基板之上；以及

一金属热界面材料，介于该金属盖与该半导体装置的一顶表面之间，用于接合该金属盖与该半导体装置，其中该金属热界面材料的一横向侧壁具有一凹弧形状，且该横向侧壁的一最外点在该半导体装置的一边界内。

10.一种半导体装置封装，包括：

一封装基板，具有一第一表面；

一半导体装置和一电子部件，设置在该封装基板的该第一表面之上；

一金属盖，设置在该半导体装置、该电子部件以及该封装基板之上；以及

一金属热界面材料，介于该金属盖与该半导体装置的一顶表面之间，其中该金属热界面材料延伸超出该半导体装置的一边界并跨越该电子部件，且该金属热界面材料的一横向侧壁与该半导体装置的该边界之间在一横向方向上的距离大于该电子部件与该半导体装置的该边界之间在该横向方向上的距离。