[发明专利]吸附装置及吸附方法在审
申请号: | 202210482242.3 | 申请日: | 2022-05-05 |
公开(公告)号: | CN115036253A | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
发明(设计)人: | 王力;龙俊舟;陶超 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 刘桂兰 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 吸附 装置 方法 | ||
本申请公开了一种吸附装置及吸附方法,所述吸附装置包括:吸附平台,用于吸附柔性膜;升降组件,相对于所述吸附平台进行移动,以带动所述柔性膜朝向所述吸附平台运动;压力提供组件,相对于所述吸附平台设置,并向所述柔性膜施加朝向所述吸附平台的压力,以使得所述柔性膜在运动吸附过程中张紧,平坦地被所述吸附平台吸附。通过上述方式,本申请能够降低柔性膜发生褶皱的概率。
技术领域
本申请属于半导体制造领域,具体涉及一种吸附装置及吸附方法。
背景技术
一片晶圆往往包含大量的芯片,目前一般需要将晶圆的一侧固定设置于一柔性膜上,然后通过激光切割等手段将晶圆分割为单个芯片,然后再将单个芯片应用到后续的封装过程中。
而为了保证封装产品的良率,在将晶圆分割为单个芯片后,需要对单个芯片的表面进行检测。由于承载晶圆的柔性膜具有一定的柔性,切割处理后的单个芯片会和其下方的柔性膜的形状保持一致。在检测过程中,若柔性膜发生褶皱,则有可能导致其上方的单个芯片的检测结果出现偏差。
发明内容
本申请提供一种吸附装置及吸附方法,以使得柔性膜能够平坦地被吸附平台吸附,以降低柔性膜发生褶皱的概率。
为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:提供一种吸附装置,包括:吸附平台,用于吸附柔性膜;升降组件,相对于所述吸附平台进行移动,以带动所述柔性膜朝向所述吸附平台运动;压力提供组件,相对于所述吸附平台设置,并向所述柔性膜施加朝向所述吸附平台的压力,以使得所述柔性膜在运动吸附过程中张紧,平坦地被所述吸附平台吸附。
为解决上述技术问题,本申请采用的另一个技术方案是:提供一种吸附方法,包括:提供上述任一实施例中所述的吸附装置,将柔性膜固定在所述升降组件上;控制所述升降组件朝向所述吸附平台运动,并控制压力提供组件向所述柔性膜施加朝向所述吸附平台的压力,以使得所述柔性膜在运动吸附过程中张紧,平坦地被所述吸附平台吸附。
区别于现有技术情况,本申请的有益效果是:本申请所提供的吸附装置包括吸附平台、升降组件和压力提供组件。其中,升降组件能够带动柔性膜朝向吸附平台运动,而压力提供组件相对于吸附平台设置,能够向柔性膜施加朝向吸附平台的压力,以使得柔性膜在朝向吸附平台运动以及被吸附平台吸附时处于张紧状态,进而能够使得柔性膜平坦地被吸附平台所吸附,降低柔性膜发生褶皱的概率;且当柔性膜上设置有半导体器件时,该吸附方式可以降低位于其上方的半导体器件检测结果出现偏差的概率,进而提高机台每小时产出量(WHP)。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图,其中:
图1为本申请吸附装置一实施方式的结构示意图;
图2为图1中吸附平台和升降组件一实施方式的俯视示意图;
图3为本申请吸附装置另一实施方式的结构示意图;
图4为本申请吸附方法一实施方式的流程示意图;
图5为图4中步骤S101之前一实施方式的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本申请保护的范围。
请参阅图1,图1为本申请吸附装置一实施方式的结构示意图,该吸附装置包括吸附平台10、升降组件12和压力提供组件14。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造