[发明专利]一种Zn+Ta共掺杂TiO2 在审
| 申请号： | 202210482575.6 | 申请日： | 2022-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN114685157A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 徐东;蒋志;李永涛;李家茂;王梦凡;左如忠;李宇佳;赵丹;孙志鹏 | 申请（专利权）人： | 安徽工业大学;安徽工程大学;中机智能装备创新研究院（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/46 | 分类号： | C04B35/46;C04B35/622;C04B35/64;H01G4/12 |
| 代理公司： | 合肥昊晟德专利代理事务所(普通合伙) 34153 | 代理人： | 王林 |
| 地址： | 243032 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 zn ta 掺杂 tio base sub | ||
1.一种Zn+Ta共掺杂TiO2基巨介电陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：将氧化物粉末混合物在ZrO2介质的乙醇中球磨，然后在干燥得到预煅烧粉末；
S2：将步骤S1中得到的预煅烧粉末进行煅烧得到煅烧粉末；
S3：在与预煅烧粉末相同的球磨条件下将步骤S2得到的煅烧粉末进行二次球磨，干燥；
S4：向步骤S3中得到的干燥粉末中加入粘合剂，将混合粉末单轴压制成圆盘；
S5：将步骤S4中得到的圆盘在煅烧以去除粘合剂；
S6：将步骤S5中得到的试样置于管式炉中，试样两端接直流电源提供电场，以10℃/min的加热速率加热；
S7：当样品温度达到1000-1100℃时，保持20min后施加100V/cm～500V/cm的电场，初始预设电流为1.0A，当施加电场时，电流每4min增加0.1A直到达到限制电流1.5A，然后关闭直流电源，将样品冷却至室温。
2.如权利要求1所述的一种Zn+Ta共掺杂TiO2基巨介电陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中球磨时间为24h，干燥温度为80℃，干燥时间为24h。
3.如权利要求1所述的一种Zn+Ta共掺杂TiO2基巨介电陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中煅烧温度为1100℃，煅烧时间为4h。
4.如权利要求1所述的一种Zn+Ta共掺杂TiO2基巨介电陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中干燥温度为80℃，干燥时间为24h。
5.如权利要求1所述的一种Zn+Ta共掺杂TiO2基巨介电陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中粘合剂为5wt.％聚乙烯醇，压制压强为310MPa。
6.如权利要求1所述的一种Zn+Ta共掺杂TiO2基巨介电陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中圆盘厚度为2mm，直径为7mm。
7.如权利要求1所述的一种Zn+Ta共掺杂TiO2基巨介电陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤S5中煅烧温度为650℃，升温速率为2℃/min，煅烧时间为2h。
8.一种采用如权利要求1～7任一项所述的制备方法制得的Zn+Ta共掺杂TiO2基巨介电陶瓷。
9.一种如权利要求8所述的Zn+Ta共掺杂TiO2基巨介电陶瓷在实现电容器小型化和高储能密度中的应用。
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