[发明专利]一种低阻高透过率ITO导电膜

权利要求书

1.一种低阻高透过率ITO导电膜，其特征在于：包括以下重量份原料：改性纳米氧化铟锡6-15份、水85-94份、表面活性剂0.4-1.2份；所述表面活性剂由改性聚乙二醇和十二烷基硫酸钠按照质量比为10:1-3混合组成；

所述改性聚乙二醇包括以下步骤制成：

步骤A、将1,3,5-苯三酚和二甲基亚砜混合均匀后，加入碳酸钾和碘化钾，加热至110℃，缓慢滴加1-溴代十六烷，加毕后，继续搅拌反应4-6h，降温停止反应，将反应物倒入去离子水中，0-5℃下放置絮凝，待絮凝完毕，过滤，滤饼水洗，干燥，得接枝苯二酚；

步骤B、将三羟甲基丙烷三缩水甘油醚、四丁基溴化铵和DMF混合均匀后，加入接枝苯二酚，然后在氮气保护下，加热至90-95℃搅拌反应4h，降至室温，用四氢呋喃溶解产物，并在70℃热水和冷乙醚中沉淀，洗涤，干燥，得超支化环氧树脂；将超支化环氧树脂和聚乙二醇混合均匀后，加入氢氧化钠，调节溶液pH值为10-11，然后加热至80-95℃，搅拌反应8-12h，经后处理，得改性聚乙二醇；

所述改性纳米氧化铟锡包括以下步骤制成：

将纳米氧化铟锡加入乙醇中，超声分散1-1.5h，然后加入环氧基硅烷偶联剂，加热至60-80℃，搅拌反应3-4h，降至室温，抽滤，水洗数次，干燥，得改性纳米氧化铟锡。

2.根据权利要求1所述的一种低阻高透过率ITO导电膜，其特征在于：所述纳米氧化铟锡、环氧基硅烷偶联剂的质量比为10:0.5-1.5。

3.根据权利要求1所述的一种低阻高透过率ITO导电膜，其特征在于：所述超支化环氧树脂和聚乙二醇的质量比为50-65:25-35，所述聚乙二醇的相对分子量为400-600。

4.根据权利要求1所述的一种低阻高透过率ITO导电膜，其特征在于：步骤A中1,3,5-苯三酚、碳酸钾、1-溴代十六烷的摩尔比为1:1:1。

5.根据权利要求1所述的一种低阻高透过率ITO导电膜，其特征在于：步骤B中三羟甲基丙烷三缩水甘油醚、接枝苯二酚、四丁基溴化铵的摩尔比为3:1-1.5:0.15-0.18。

6.根据权利要求1所述的一种低阻高透过率ITO导电膜，其特征在于：包括以下步骤制成：

步骤一、将表面活性剂加入水后，在200-500r/min下搅拌15-25min，然后加入改性纳米氧化铟锡，超声分散30-50min，然后在60-80℃下搅拌至得透明，冷却至室温，得ITO纳米颗粒溶胶；

步骤二、将ITO纳米颗粒溶胶涂布在基材上，置于真空环境下，首先以4-6℃/min升温至230-250℃，并保温处理30-50min，然后以10-15℃/min升温至450-500℃，并保温处理1-1.5h，冷却至室温，揭下薄膜，得低阻高透过率ITO导电膜。