[发明专利]半导体器件及包括其的半导体器件封装

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体结构，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层及布置在所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的有源层；

其中，所述有源层包括多个阻挡层和阱层，

所述阻挡层、所述阱层、所述第一导电型半导体层及所述第二导电型半导体层包括铝，

所述第二导电型半导体层包括铝组成随远离所述有源层而以一斜率渐小的半导体层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二导电型半导体层包括第2-2导电型半导体层、和布置在所述第2-2导电型半导体层上的第2-1导电型半导体层，所述第2-1导电型半导体层的铝组成越远离所述有源层，以一斜率越减少。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第2-1导电型半导体层的铝组成越远离所述有源层，以第一斜率越减少；所述第2-2导电型半导体层的铝组成越远离所述有源层，以第二斜率越减少；所述第一斜率大于所述第二斜率。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第2-2导电型半导体层的铝组成高于所述阱层的铝组成，所述第2-1导电型半导体层的铝组成低于所述阱层的铝组成。

5.根据权利要求2至4中任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第2-1导电型半导体层的铝减少幅度大于所述第2-2导电型半导体层的铝减少幅度。

6.根据权利要求2至4中任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第2-1导电型半导体层的铝组成大于1％且小于50％，所述第2-1导电型半导体层的厚度大于1nm且小于30nm。

7.根据权利要求2至4中任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第2-1导电型半导体层的厚度小于所述第2-2导电型半导体层的厚度。

8.根据权利要求2至4中任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第2-2导电型半导体层的铝组成大于40％且小于80％，所述第2-2导电型半导体层的厚度大于10nm且小于200nm。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

多个凹槽，所述多个凹槽贯通所述第二导电型半导体层和有源层并布置到所述第一导电型半导体层的一部分区域；

第一电极，布置在所述凹槽中，与所述第一导电型半导体层电连接；及

第二电极，与所述第二导电型半导体层电连接。

10.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第2-1导电型半导体层包括与第二电极接触的表面层，所述表面层的铝组成为1％至20％。

11.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述第2-1导电型半导体层和所述第2-2导电型半导体层的厚度比为1:1.5至1:20。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，与所述第二电极接触的第二导电型半导体层的表面包括突出的多个簇。

13.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述凹槽的上面到所述半导体结构的上面的距离为1μm至4μm。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二导电型半导体层的表面包括每1μm²布置有1个至8个簇的区域，所述簇的密度为1×10^-8/cm²至8×10^-6/cm²。