[发明专利]显示背板和显示装置在审
申请号: | 202210484383.9 | 申请日: | 2022-05-06 |
公开(公告)号: | CN114883357A | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
发明(设计)人: | 杨荣娟 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/54;H01L33/62 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨瑞 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 背板 显示装置 | ||
本申请提供一种显示背板和显示装置;该显示背板通过在像素发光单元中设置冗余像素,并在像素发光单元存在失效的微发光二极管时,通过在冗余像素内设置有机发光二极管器件或者量子点发光二极管器件,使得可以通过有机发光二极管器件或者量子点发光二极管器件修复像素发光单元,而有机发光二极管器件或者量子点发光二极管器件可以直接通过打印得到,无需转移且精度较高,提高了显示背板的修复效率和修复精度。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其是涉及一种显示背板和显示装置。
背景技术
Micro LED(微型发光二极管)显示器件由于体积小、功耗低、亮度高、色彩饱和度高、响应快和寿命长等优点被广泛应用。为了提高Micro LED显示器件的良率,现有MicroLED显示器件的制备过程中,在LED芯片转移后,会对LEDD芯片进行精准寻址检测和修复,消除无法显示的发光芯片,提高显示器件的良率。现有Micro LED显示器件的修复过程包括激光修复/芯片替换以及转移冗余芯片,激光修复/芯片替换技术是通过激光去除坏点后转移新的LED芯片,转移冗余芯片是指在每个芯片旁设置冗余空间,激光断开失效芯片后,在失效芯片旁转移冗余芯片。这两种过程都需要激光去除坏点后转移芯片,导致效率较低,且随着LED芯片的尺寸减小,修复精度要求较高,导致修复的难度提高。
所以,现有Micro LED的修复过程存在效率较低且高精度修复难度较大的技术问题。
发明内容
本申请实施例提供一种显示背板和显示装置,用以缓解现有Micro LED的修复过程存在效率较低且高精度修复难度较大的技术问题。
本申请实施例提供一种显示背板,该显示背板包括阵列设置的多个像素发光单元,所述像素发光单元包括:
微发光二极管,所述微发光二极管至少包括红色微发光二极管、绿色微发光二极管和蓝色微发光二极管;
冗余像素,设置于所述微发光二极管一侧;
其中,所述像素发光单元包括至少一个失效的微发光二极管,与失效的所述微发光二极管处于同一像素发光单元的冗余像素包括有机发光二极管器件或者量子点发光二极管器件中的一个,且所述冗余像素的发光颜色与失效的微发光二极管中失效的颜色相同。
在一些实施例中,所述显示背板还包括阳极层,所述阳极层包括微发光二极管的第一阳极和所述冗余像素的第二阳极,所述有机发光二极管器件或者所述量子点发光二极管器件设置于所述第二阳极上。
在一些实施例中,所述显示背板还包括阴极层,所述阴极层设置于所述微发光二极管上,且所述阴极层设置于所述有机发光二极管器件或者所述量子点发光二极管器件上。
在一些实施例中,所述显示背板还包括平坦层,在所述冗余像素内,所述平坦层设置于所述阳极层与所述阴极层之间,且所述平坦层与所述阳极层和所述阴极层接触。
在一些实施例中,同一微发光二极管中的所述红色微发光二级管、所述绿色微发光二极管和所述蓝色微发光二极管横向设置,所述冗余像素设置于相邻两行微发光二极管之间。
在一些实施例中,所述冗余像素沿横向的宽度等于失效的绿色微发光二极管沿纵向的宽度,所述冗余像素沿纵向的宽度等于失效的所述绿色微发光二极管沿横向的宽度。
在一些实施例中,所述冗余像素包括位于同一像素发光单元的第一冗余像素和第二冗余像素,所述第一冗余像素与所述第二冗余像素的发光颜色不同。
在一些实施例中,位于同一列的像素发光单元中的红色微发光二极管和蓝色微发光二极管交替设置,所述绿色微发光二极管与所述红色微发光二极管位于相邻列,所述冗余像素与所述绿色微发光二极管设置于同一列。
在一些实施例中,所述冗余像素与下一列像素发光单元的间距等于所述蓝色微发光二极管与下一列像素发光单元的间距。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的