[发明专利]一种厚膜电阻浆料

说明书

本发明公开了一种厚膜电阻浆料，属于电子材料技术领域，所述的厚膜电阻浆料，包括：导电相、玻璃相、有机溶剂、树脂，所述导电相包括Ag粉，所述玻璃相包括PbO，所述PbO与Ag粉的质量比≤0.18。本发明所述的厚膜电阻浆料具有良好的阻值离散性，烧结时能够有效的抑制Ag迁移扩散速率，使Ag迁移扩散均匀，且表面孔隙率合格；本发明通过控制PbO与Ag粉的质量比≤0.18，可以有效的抑制电阻浆料烧结时Ag的迁移扩散速率，使得Ag迁移扩散得更加均匀化，从而减少制备的片式电阻器的阻值差异，极大改善阻值离散性。

技术领域

本发明涉及电子材料技术领域，具体涉及一种厚膜电阻浆料。

背景技术

厚膜片式电阻器作为重要的电子元器件被广泛用于厚膜电路、混合集成电路、电子设备等领域中。厚膜片式电阻器的电阻特性主要取决于其中的电阻层，电阻层是由厚膜电阻浆料印刷在绝缘基板上并进行烧结后形成的；在大批量生产厚膜片式电阻器时，同一配方的厚膜电阻浆料所制备的相同型号的片式电阻器常常出现阻值差异大、阻值离散性差的问题，导致最终成品的合格率低。影响片式电阻器的阻值离散性的主要因素包括电阻浆料的分散情况，以及电阻浆料烧结时Ag的迁移扩散情况。

目前，通过合适的分散工艺可以使电阻浆料达到较好的分散程度，但依旧无法实现理想中完全分散均一，仍然会存在局部区域性的成分差异，导致电阻浆料烧结时Ag的迁移扩散不均匀，最终造成阻值离散性变差，因此如何提高烧结时Ag的迁移扩散均匀性，从而改善制备的片式电阻器的阻值离散性，成为了本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术存在的不足之处而提供一种厚膜电阻浆料，能够有效抑制烧结时Ag的迁移扩散速率，使得Ag迁移扩散得更加均匀化，从而减少制备的片式电阻器的阻值差异，极大改善阻值离散性。

在本发明的第一方面，本发明提供了一种厚膜电阻浆料，包括：导电相、玻璃相、有机溶剂、树脂，所述导电相包括Ag粉，所述玻璃相包括PbO，所述PbO与Ag粉的质量比≤0.18。

本发明的发明人在大量的研究中发现，电阻浆料在烧结时，导电相中的Ag会向玻璃中扩散迁移，如果迁移速率过大，则会导致Ag扩散的不均匀程度加剧，使得阻值离散性变差。由于玻璃的软化点较低而Ag的熔点较高，烧结中玻璃会逐渐软化并润湿Ag，Pb为低熔点金属，易于与Ag发生局部反应并促使Ag元素从Ag颗粒表面加快迁移至玻璃中。

发明人在大量的研究中惊奇的发现，PbO与Ag粉的质量比是影响Ag的迁移扩散速率和均匀化的关键，通过控制PbO与Ag粉的质量比≤0.18，可以有效的抑制电阻浆料烧结时Ag的迁移扩散速率，使得Ag迁移扩散得更加均匀化，从而减少制备的片式电阻器的阻值差异，极大改善阻值离散性。

若所述的PbO与Ag粉的质量比＞0.18时，Ag迁移扩散均匀性、阻值离散性不达标。

作为本发明的优选实施方案，所述玻璃相还包括SiO₂，所述SiO₂与PbO的质量比为0.5～5。

发明人在研究中进一步发现，玻璃是由SiO₂作为骨架形成的一种网状结构，SiO₂含量越高则骨架强度，软化点也越高，而PbO的加入可以调节网状结构，从而降低软化点，使其适合特定温度下的烧结，另外，SiO₂含量越高则玻璃网状结构致密性增大，流动性降低，从而能降低Ag元素在玻璃中的扩散速率；因此，电阻浆料配方体系中的玻璃需要合适的软化点。

发明人将SiO₂与PbO的质量比在0.5～5之内，使玻璃具有合适的软化点，使其能够在830℃～870℃下进行烧结，可较好地降低Ag在玻璃内部的扩散速率，从而抑制Ag的不均匀扩散程度。