[发明专利]一种压电复合薄膜黑化的方法及黑化压电复合薄膜

权利要求书

1.一种压电复合薄膜黑化的方法，其特征在于，包括：

准备压电晶圆和衬底基板，其中，所述压电晶圆为铌酸锂晶圆或钽酸锂晶圆；

对所述压电晶圆进行离子注入，将所述压电晶圆依次分为余质层、分离层和压电薄膜层；

将离子注入后的压电晶圆与所述衬底基板键合，得到键合体；

对所述键合体进行至少一次交替的白化处理与黑化处理，使所述压电薄膜层黑化，得到黑化压电复合薄膜，其中，所述黑化压电复合薄膜包括依次层叠的衬底基板和黑化的压电薄膜层；

其中，所述白化处理包括：在氧气气氛下，对所述键合体进行一次退火处理，使所述压电薄膜层白化，得到压电复合薄膜，所述压电复合薄膜包括依次层叠的衬底基板和白化的压电薄膜层；

所述黑化处理包括：在氢气气氛下，对所述压电复合薄膜进行二次退火处理，使所述白化的压电薄膜层黑化，得到黑化压电复合薄膜，其中，所述黑化压电复合薄膜包括依次层叠的衬底基板和黑化的压电薄膜层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，如果所述压电晶圆为未经黑化处理的铌酸锂晶圆或钽酸锂晶圆，则对所述键合体进行至少一次交替的白化处理与黑化处理，包括：

对所述键合体进行第一次黑化处理；

对所述第一次黑化处理后的键合体进行2-3次交替的白化处理与黑化处理，使所述压电薄膜层黑化。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，如果所述压电晶圆为经过黑化处理的铌酸锂晶圆或钽酸锂晶圆，则对所述键合体进行至少一次交替的白化处理与黑化处理，包括：

对所述键合体进行2-3次交替的白化处理与黑化处理，使所述压电薄膜层黑化。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述二次退火处理的退火温度大于第一温度、且小于第二温度，其中，所述第一温度为所述压电薄膜层的晶格恢复温度，所述第二温度为所述压电薄膜层的居里温度。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述一次退火处理的退火温度为100℃～400℃，所述一次退火处理的保温时间为0.5～100小时。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一温度至少为450℃，所述二次退火处理的保温时间1～100小时。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述压电复合薄膜冷却至预设温度后，对所述压电复合薄膜进行二次退火处理，其中，所述预设温度为20～40℃；

清洗所述压电复合薄膜。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述一次退火处理的升温速度小于所述二次退火处理的升温速度。

9.一种黑化压电复合薄膜，其特征在于，所述黑化压电复合薄膜采用如权利要求1-8任一所述的一种压电复合薄膜黑化的方法制备而成，所述黑化压电复合薄膜包括依次层叠的衬底基板和黑化的压电薄膜层。

10.一种电子元器件，其特征在于，所述电子元器件包括如权利要求9所述的黑化压电复合薄膜。