[发明专利]一种B4

权利要求书

1.一种B₄C-TiB₂导电复相陶瓷，其特征在于，所述导电复相陶瓷具有包覆型显微结构，即TiB₂小晶粒包覆在B₄C大晶粒周围；所述导电复相陶瓷中TiB₂的体积含量为10-30 %；

所述的B₄C-TiB₂导电复相陶瓷的制备包括如下步骤：

按照成分设计分别称取B₄C、TiC和无定形B粉体；

所述B₄C粉体的粒径为3.0-20.0 µm，所述TiC粉体的粒径为0.05-3.0 µm，所述无定形B粉体的粒径为0.5-1.0 µm；

（2）将步骤（1）称量好的粉体混合均匀并充分干燥；

（3）将步骤（2）干燥后的粉体装入石墨模具，并置于放电等离子体烧结炉内在真空气氛中进行烧结。

2.如权利要求1所述的B₄C-TiB₂导电复相陶瓷，其特征在于，在步骤（3）中，所述放电等离子体烧结炉内：烧结温度为2000℃ ，压力为50 MPa，保温时间为5-20 min。