[发明专利]中空多壳层含Sn金属硒化物@碳异质结及其应用有效
申请号: | 202210492727.0 | 申请日: | 2022-05-07 |
公开(公告)号: | CN114772561B | 公开(公告)日: | 2023-09-26 |
发明(设计)人: | 余东波;王杰;董文昊;姚佳;王菲;崔接武;吴玉程 | 申请(专利权)人: | 合肥工业大学 |
主分类号: | C01B19/00 | 分类号: | C01B19/00;C01B32/05;H01M4/36;H01M10/054 |
代理公司: | 合肥云道尔知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 34230 | 代理人: | 陈兰 |
地址: | 230000 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 中空 多壳层含 sn 金属 硒化物 碳异质结 及其 应用 | ||
1.含Sn的中空多壳层金属有机框架结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)将前驱体中空多壳层金属-有机框架分散于乙醇中,形成悬浮液A并置于水浴锅中加热搅拌,其中,中空多壳层金属-有机框架为中空多壳层ZnNi-ZIF-8或CuCo-MOF-74;
(2)将氯化亚锡溶于乙醇中,形成溶液B;
(3)将溶液B缓慢加入溶液A中,在加热条件下进行金属阳离子交换,使Sn掺杂进入中空多壳层中,然后将产物进行离心分离,用乙醇和水多次洗涤后,置于烘箱烘干,获得含Sn的中空多壳层金属有机框架结构。
2.根据权利要求1所述的含Sn的中空多壳层金属有机框架结构的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中,悬浮液A的浓度为0.1~2g/L;加热温度为25~80℃。
3.根据权利要求1所述的含Sn的中空多壳层金属有机框架结构的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中,溶液B的浓度为0.1~1g/L。
4.根据权利要求1所述的含Sn的中空多壳层金属有机框架结构的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)中,金属阳离子交换的反应温度为25~80℃;
产物进行离心分离的转速为500~3000r/min,离心时间为2~15min;
烘箱烘干的温度为70~120℃,烘干时间为10~24h。
5.一种根据权利要求1-4任一项所述的含Sn的中空多壳层金属有机框架结构的制备方法制备得到的含Sn的中空多壳层金属有机框架结构。
6.中空多壳层含Sn金属@碳结构,其特征在于:将权利要求5所述的含Sn的中空多壳层金属有机框架结构置于氩气氛围内的管式炉中进行高温退火碳化形成中空多壳层含Sn金属@碳结构。
7.根据权利要求6所述的中空多壳层含Sn金属@碳结构,其特征在于:退火温度为600~900℃,升温速率为2℃/min,保温时间为1~3h。
8.中空多壳层含Sn金属硒化物@碳异质结,其特征在于:将权利要求6或7所述的中空多壳层含Sn金属@碳结构与硒粉进行混合,然后在氩气气氛保护下退火得到中空多壳层含Sn金属硒化物@碳异质结。
9.根据权利要求8所述的中空多壳层含Sn金属硒化物@碳异质结,其特征在于:中空多壳层含Sn金属@碳结构与硒粉混合时质量比为1:0.5~1:2,退火温度为300~500℃。
10.如权利要求8或9所述的中空多壳层含Sn金属硒化物@碳异质结用于制备高性能钠离子电池负极材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥工业大学,未经合肥工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210492727.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。