[发明专利]一种光刻方法在审
| 申请号： | 202210493854.2 | 申请日： | 2022-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN114937590A | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 王元刚;吕元杰;郭红雨;卜爱民;徐森锋;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033;H01L21/311 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 刘少卿 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 方法 | ||
1.一种光刻方法，其特征在于，包括：
清洗和沉积：清洗半导体衬底，并在所述半导体衬底表面沉积生长介质；
光刻和蒸镀金属：在所述生长介质表面涂覆光刻胶，利用光刻机及光刻版对所述生长介质表面进行曝光、显影，形成曝光图形，在所述曝光图形表面蒸镀金属薄膜，去除光刻胶，形成金属掩膜图形；
重复执行N次光刻和蒸镀金属操作；其中，N≧2，且N次光刻和蒸镀金属操作过程中采用至少两种光刻版，所述至少两种光刻版对应的光刻图形之间存在重合区域，所述重合区域的形状尺寸由介质刻蚀的目标形状尺寸确定；
刻蚀和去除金属：以所述金属掩膜图形表面的金属薄膜为掩膜，刻蚀所述生长介质，去除所述金属薄膜，形成介质刻蚀图形。
2.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，采用化学气相沉积法在所述半导体衬底表面沉积所述生长介质。
3.如权利要求2所述的光刻方法，其特征在于，所述生长介质为氮化硅层或氧化硅层。
4.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，采用湿法去胶机去除光刻胶。
5.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，采用电子束蒸发真空镀膜机蒸镀金属薄膜。
6.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，采用等离子刻蚀机对所述生长介质进行刻蚀。
7.如权利要求1至6任一项所述的光刻方法，其特征在于，所述光刻机采用接触式光刻机。
8.如权利要求1至6任一项所述的光刻方法，其特征在于，所述光刻机采用接近式光刻机。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
