[发明专利]一种宽带高隔离度双极化超表面天线

权利要求书

1.一种宽带高隔离度双极化超表面天线，包括：由上至下依次设置的超表面辐射结构、上层介质基板、金属接地板、下层介质基板及微带馈电结构；其特征在于，

所述超表面辐射结构1由4块矩形贴片A、4块矩形贴片B、4块矩形贴片C与4块矩形贴片D组成，其中，4块矩形贴片A呈2×2阵列排布于中心位置，4块矩形贴片B、4块矩形贴片C与4块矩形贴片D围绕4块矩形贴片A设置，并且，矩形贴片A的尺寸为x₁×y₁、矩形贴片B的尺寸为x₂×y₁、矩形贴片C的尺寸为x₂×y₂、矩形贴片D的尺寸为x₁×y₂、且任意相邻矩形贴片之间的间距均为g；

所述矩形贴片A由沿X轴方向的2条缝隙分割为3块矩形子贴片A，所述矩形贴片B由沿X轴方向的2条缝隙与沿Y轴方向的1条缝隙分割为6块矩形子贴片B，所述矩形贴片C由沿X轴方向与Y轴方向的缝隙等分为4块矩形子贴片C，所述矩形贴片D由沿Y轴方向的缝隙等分为2块矩形子贴片D，矩形贴片B中沿X轴方向的缝隙与矩形贴片A中沿X轴方向的缝隙一一对应、且位于同一直线上，矩形贴片B中沿Y轴方向的缝隙与矩形贴片C中沿Y轴方向的缝隙位于同一直线上，所有缝隙的宽度均为s；

所述金属接地板开设有沿Y轴方向的第一馈电缝隙、沿X轴方向的2个第二馈电缝隙，所述第一馈电缝隙位于超表面辐射结构正下方、所述第二馈电缝隙分别位于矩形贴片D下方、且第二馈电缝隙对称分布于第一馈电缝隙两侧；

所述微带馈电结构由第一微带馈线结构与第二微带馈线结构构成，所述第一微带馈线结构通过对应的馈电缝隙为超表面辐射结构馈电并激励垂直极化辐射模式，所述第二微带馈线结构通过对应的馈电缝隙为超表面辐射结构馈电并激励水平极化辐射模式。

2.按权利要求1所述宽带高隔离度双极化超表面天线，其特征在于，所述矩形贴片A中，矩形贴片A被分割为三部分，其中外侧两部分子贴片的尺寸相同，且外侧两部分子贴片沿Y轴的尺寸小于位于中间的矩形子贴片沿Y轴的尺寸。

3.按权利要求1所述宽带高隔离度双极化超表面天线，其特征在于，缝隙宽度s需满足：s＜x₁/10,s＜x₂/10,s＜y₁/10,s＜y₂/10。