[发明专利]显示面板有效
申请号: | 202210494260.3 | 申请日: | 2022-05-07 |
公开(公告)号: | CN114822395B | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 鲁凯 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/3208 | 分类号: | G09G3/3208;G09G3/3258;G09G3/3266 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨瑞 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括阵列设置的多个发光器件和驱动所述发光器件的像素驱动电路,所述像素驱动电路包括:
第一初始化晶体管,与第一初始化信号线连接,用于在第一扫描信号的控制下,向第一节点输入第一初始化信号;
开关晶体管,用于在第二扫描信号的控制下,向第二节点输入数据信号;
驱动晶体管,与第一节点和第二节点电连接,用于在第一节点和第二节点电位的控制下,驱动所述发光器件发光;
补偿晶体管,通过所述第一节点和第三节点与所述驱动晶体管相连,用于在第三扫描信号的控制下,补偿所述驱动晶体管的阈值电压;
其中,所述第一初始化晶体管通过第一节点与所述驱动晶体管相连,所述第一节点与所述驱动晶体管的栅极连接,所述补偿晶体管包括至少两个子沟道,所述补偿晶体管中靠近所述驱动晶体管的栅极的子沟道的宽长比小于所述第一初始化晶体管的沟道的宽长比。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一初始化晶体管包括至少两个子沟道,所述补偿晶体管中靠近所述驱动晶体管的子沟道的宽长比小于所述第一初始化晶体管中靠近所述驱动晶体管的子沟道的宽长比。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述补偿晶体管包括第一沟道,所述第一初始化晶体管包括第二沟道,所述第一沟道至少包括第一子沟道和第二子沟道,所述第二沟道至少包括第三子沟道和第四子沟道,所述第一子沟道位于所述第二子沟道靠近所述驱动晶体管的一侧,所述第三子沟道位于所述第四子沟道靠近所述驱动晶体管的一侧,所述第一子沟道的宽长比小于所述第三子沟道的宽长比,且所述第一沟道的宽长比小于所述第一初始化晶体管的第二沟道的宽长比。
4.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一子沟道的宽长比小于所述第二子沟道的宽长比,所述第三子沟道的宽长比大于所述第四子沟道的宽长比。
5.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第二子沟道的宽长比等于所述第四子沟道的宽长比,或者所述第二子沟道的宽长比小于所述第四子沟道的宽长比。
6.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一子沟道的宽长比小于所述第二子沟道的宽长比,所述第三子沟道的宽长比等于所述第四子沟道的宽长比,且所述第二子沟道的宽长比等于所述第四子沟道的宽长比。
7.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第三子沟道的宽长比大于所述第四子沟道的宽长比,所述第一子沟道的宽长比等于所述第二子沟道的宽长比,且所述第一子沟道的宽长比等于所述第四子沟道的宽长比。
8.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一子沟道的宽长比等于所述第二子沟道的宽长比,所述第三子沟道的宽长比等于所述第四子沟道的宽长比。
9.如权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述补偿晶体管包括相连的第一栅极和第二栅极、第一有源图案,所述第一初始化晶体管包括相连的第三栅极和第四栅极、第二有源图案,在所述第一子沟道,所述第一有源图案所述第一栅极存在第一重合区域,在所述第二子沟道,所述第一有源图案与所述第二栅极存在第二重合区域,在所述第三子沟道,所述第二有源图案与所述第三栅极存在第三重合区域,在所述第四子沟道,所述第二有源图案与所述第四栅极存在第四重合区域;
其中,位于所述第一重合区域的第一有源图案的宽度与所述第一栅极的宽度的比值等于位于所述第二重合区域的第一有源图案的宽度与第二栅极的宽度的比值,位于所述第三重合区域的第二有源图案的宽度与所述第三栅极的宽度的比值等于位于所述第四重合区域的第二有源图案的宽度与所述第四栅极的宽度的比值,且位于所述第一重合区域的第一有源图案的宽度与所述第一栅极的宽度的比值小于位于所述第三重合区域的第二有源图案的宽度与第三栅极的宽度的比值。
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