[发明专利]X频段功率放大器

说明书

本发明公开一种X频段功率放大器，包括晶体管、输入匹配网络和输出匹配网络。输入匹配网络的第一阻抗匹配电路的输入端与信号输入端电连接，第一阻抗匹配电路的第一输出端与输入匹配网络的第一稳定电路电连接、第二输出端与输入匹配网络的第二稳定电路电连接，第一阻抗匹配电路的第一调节端与输入匹配网络的栅极偏置电路电连接，第一调节端位于第一阻抗匹配电路的输入端和第一输出端之间。输出匹配网络的第二阻抗匹配电路的第一输入端和第二输入端分别与晶体管的漏极电连接，第二阻抗匹配电路的第二调节端与输出匹配网络的漏极偏置电路电连接。通过电路之间的相互配合，确保功率放大器可以实现高频的增益和功率输出。

技术领域

本发明涉及功率放大器器技术领域，尤其涉及一种X频段功率放大器。

背景技术

功率放大器一般通过将直流电源的能量转换为随输入信号变化的输出功率传送给输出负载，进而实现功率放大，功率放大器目前已广泛应用于各领域中。

作为新一代固态微波功率器件，GAN HEMT功率器件就受到世界各国的特别关注并得到重点发展，西方各国都将GAN微波功率器件及MMIC研究列入一系列优先发展的战略技术计划。目前美国的Cree 、Qorvo、Macom以及日本的Fujisu等多级公司均有GAN HEMT 功率管产品，产品重点针对L\S 频段的基站应用。现有功率放大器件一般靠金线连接，导致很难在X频段达到最佳增益及最佳功率输出。

发明内容

本发明提供了一种X频段功率放大器，以提高产品的高频特性，实现高频的增益和功率输出。

本发明提供了一种X频段功率放大器，包括：晶体管、输入匹配网络和输出匹配网络，所述输入匹配网络连接在信号输入端和所述晶体管的栅极之间，所述输出匹配网络连接在所述晶体管的漏极和信号输出端之间；所述输入匹配网络包括栅极偏置电路、第一稳定电路、第二稳定电路、第一阻抗匹配电路，所述输出匹配网络包括漏极偏置电路、第二阻抗匹配电路；

所述第一阻抗匹配电路的输入端与信号输入端电连接，所述第一阻抗匹配电路的第一输出端与所述第一稳定电路电连接，所述第一阻抗匹配电路的第二输出端与所述第二稳定电路电连接，所述第一阻抗匹配电路的第一调节端与所述栅极偏置电路电连接，所述第一调节端位于所述第一阻抗匹配电路的输入端和第一输出端之间，所述第一输出端和所述第二输出端分别与所述晶体管的栅极电连接；

所述第二阻抗匹配电路的输出端与所述信号输出端电连接，所述第二阻抗匹配电路的第一输入端和第二输入端分别与所述晶体管的漏极电连接，所述第二阻抗匹配电路的第二调节端与所述漏极偏置电路电连接，所述第二调节端位于所述第二阻抗匹配电路的输出端和第一输入端之间。

可选的，所述输入匹配网络集成于第一芯片上，所述输出匹配网络集成于第二芯片上。