[发明专利]抑制微通道板紫外光响应的方法及微通道板

权利要求书

1.一种抑制紫外光响应的微通道板，其特征在于，包括：

由数百万个相互平行的通道式电子倍增单元排列而成的阵列式电子倍增器，每个电子倍增单元构成微通道结构；所述阵列式电子倍增器定义了输入面；以及

在所述输入面以及每个电子倍增单元的通道内壁制备的用于抑制紫外光响应的复合膜层，所述复合膜层包括至少两层依次制备的紫外光透过率高且具有高二次电子发射系数的第一膜层和第二膜层，所述第一膜层制备在输入面以及每个电子倍增单元的通道内壁上，第二膜层制备在第一膜层上；

其中，所述复合膜层中的第二膜层的禁带宽度大于第一膜层的禁带宽度。

2.根据权利要求1所述抑制紫外光响应的微通道板，其特征在于，所述复合膜层中，位于最外侧的膜层具有最高的禁带宽度。

3.根据权利要求1所述抑制紫外光响应的微通道板，其特征在于，所述复合膜层还包括第三膜层，制备在第二膜层上；

所述第一膜层、第二膜层与第三膜层的禁带宽度呈现依此递增的趋势。

4.根据权利要求1所述的抑制紫外光响应的微通道板，其特征在于，所述复合膜层的每一层膜层的材料选择氧化镧、氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮化硅、氧化镁、氟化镁中的一种。

5.根据权利要求1所述的抑制紫外光响应的微通道板，其特征在于，所述复合膜层的覆盖面包括整个输入面以及每个电子倍增单元的通道内壁的预定深度。

6.根据权利要求5所述的抑制紫外光响应的微通道板，其特征在于，在每个电子倍增单元的通道内壁制备的复合膜层的深度范围为3D～20D，其中D为电子倍增单元的通道内径。

7.根据权利要求5所述的抑制紫外光响应的微通道板，其特征在于，针对斜切角为θ的微通道板，在每个电子倍增单元的通道内壁制备的复合膜层的深度大于1/tan（θ）。

8.根据权利要求1所述的抑制紫外光响应的微通道板，其特征在于，所述复合膜层的覆盖面包括整个输入面以及每个电子倍增单元的整个贯通的通道内壁。

9.根据权利要求1～8中任意一项所述的抑制紫外光响应的微通道板，其特征在于，所述复合膜层的膜层厚度范围为2nm～50nm。

10. 一种抑制紫外光响应的微通道板，其特征在于，包括：

由数百万个相互平行的通道式电子倍增单元排列而成的阵列式电子倍增器，每个电子倍增单元构成微通道结构；所述阵列式电子倍增器定义了输入面；以及

在所述输入面以及每个电子倍增单元的通道内壁制备的用于抑制紫外光响应的复合膜层，所述复合膜层包括由至少两种紫外光透过率高且具有高二次电子发射系数的膜层通过规则叠加构成的多层叠层结构，其中所述至少两种紫外光透过率高且具有高二次电子发射系数的膜层的禁带宽度不同。

11.根据权利要求10所述的抑制紫外光响应的微通道板，其特征在于，所述复合膜层的每一层膜层的材料选择氧化镧、氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮化硅、氧化镁、氟化镁中的一种。

12.根据权利要求10所述的抑制紫外光响应的微通道板，其特征在于，所述复合膜层的覆盖面包括整个输入面以及每个电子倍增单元的通道内壁的预定深度。

13.根据权利要求12所述的抑制紫外光响应的微通道板，其特征在于，在每个电子倍增单元的通道内壁制备复合膜层的深度范围为3D～20D，其中D为电子倍增单元的通道内径。

14.根据权利要求12所述的抑制紫外光响应的微通道板，其特征在于，针对斜切角为θ的微通道板，在每个电子倍增单元的通道内壁制备的复合膜层的深度大于1/tan（θ）。