[发明专利]大功率二极管结构及制造方法

权利要求书

1.一种大功率二极管结构，其特征在于：包括底座(8)、管壳(4)、双面蒸铝芯片(11)，所述管壳(4)安装在底座(8)上，双面蒸铝芯片(11)设于管壳(4)内；所述双面蒸铝芯片(11)下面连接有下面镀镍钼片(12)，下面镀镍钼片(12)的下面与底座(8)连接；所述双面蒸铝芯片(11)上面连接有上面镀镍钼片(10)，上面镀镍钼片(10)的上面连接有缓冲片(3)，缓冲片(3)上面连接有内引线(1)。

2.如权利要求1所述的大功率二极管结构，其特征在于：所述缓冲片(3)为横置的U形结构，缓冲片(3)下面与上面镀镍钼片(10)连接，缓冲片(3)上面与内引线(1)连接。

3.如权利要求2所述的大功率二极管结构，其特征在于：所述缓冲片(3)下面与上面镀镍钼片(10)通过银铜焊片(2)连接。

4.如权利要求2所述的大功率二极管结构，其特征在于：所述缓冲片(3)上面与内引线(1)通过银铜焊片(2)连接。

5.如权利要求1所述的大功率二极管结构，其特征在于：所述下面镀镍钼片(12)的下面通过银铜焊片(2)与底座(8)连接。

6.一种大功率二极管制造方法，其特征在于：包括如下步骤，

步骤一、扩散，选取N型硅单晶片，厚度250μm-500μm，电阻率0.002Ω.cm-400Ω.cm，进行磷/硼扩散；

步骤二、光刻腐蚀槽，根据管芯尺寸设计光刻板，光刻后，管芯部分的光刻胶保留；用硝酸、氢氟酸、冰乙酸混合酸腐蚀出钝化槽；

步骤三、台面内钝化，对腐蚀出来PN结结面进行钝化保护；

步骤四、光刻表面玻璃，用光刻胶阻挡，用氢氟酸或喷砂的方式去除表面的玻璃，然后蒸铝；

步骤五、光刻铝，用光刻胶阻挡，留下芯片表面及背面的铝；

步骤六、裂片；

步骤七、加工上下电极；

步骤八、装模：将裂片后的芯片设置于下电极的下面镀镍钼片(12)上，将上电极的上面镀镍钼片(10)正对芯片，进行装配；

步骤九、烧焊，将装配好的上电极、芯片、下电极在630℃-720℃下熔焊连接，然后封帽；

步骤十、内外引线连接：用挤压的方式，将内引线(1)与外电极连接。

7.如权利要求6所述的大功率二极管制造方法，其特征在于：所述步骤一，磷/硼扩散，扩散温度1150℃-1280℃，扩散时间2小时-40小时，结深≥10μm。

8.如权利要求6所述的大功率二极管制造方法，其特征在于：所述步骤二，钝化槽的槽深20μm-300μm。

9.如权利要求6所述的大功率二极管制造方法，其特征在于：所述步骤七、加工上下电极，包括：上电极加工，将内引线(1)、缓冲片(3)、上面镀镍钼片(10)从上至下依次设置，并用银铜焊片(2)在900℃-980℃下熔接；

下电极加工：将下面镀镍钼片(12)与底座(8)从上至下依次设置，并用银铜焊片(2)在900℃-980℃下熔接。

10.如权利要求9所述的大功率二极管制造方法，其特征在于：所述银铜焊片(2)为：银70％-75％，铜25％-30％。