[发明专利]可调谐窄带超材料吸收器

权利要求书

1.可调谐窄带超材料吸收器，由多个结构相同的吸收器单元阵列构成，其特征在于，每个吸收器单元从上到下依次设置钛酸锶层(1)，介质层(2)和金膜(3)；所述钛酸锶层(1)，介质层(2)和金膜(3)的长和宽均相同；所述吸收器单元中心刻蚀有矩形盲孔，所述矩形盲孔穿透钛酸锶层(1)至介质层(2)上表面；在所述矩形盲孔底部，石墨烯层(4)紧贴介质层(2)上表面。

2.根据权利要求1所述的可调谐窄带超材料吸收器，其特征在于，所述：

钛酸锶层(1)的结构参数为100μm×100μm×0.1μm；

矩形盲孔的截面尺寸为13μm×13μm；

介质层(2)的结构参数为100μm×100μm×14μm；

金膜(3)的结构参数为100μm×100μm×1μm。

3.根据权利要求1或2所述的可调谐窄带超材料吸收器，其特征在于，所述钛酸锶层(1)的材料是钛酸锶，所述介质层(2)的材料是TOPAS，所述金膜(3)的材料是金，所述石墨烯层(4)的材料是石墨烯。