[发明专利]对残差网络的改进方法、电子设备和存储介质在审

专利信息
申请号: 202210499843.5 申请日: 2022-04-29
公开(公告)号: CN114974265A 公开(公告)日: 2022-08-30
发明(设计)人: 钱彦旻;刘贝;陈正阳;王浩宇;韩冰 申请(专利权)人: 思必驰科技股份有限公司
主分类号: G10L17/18 分类号: G10L17/18;G10L17/04;G10L25/30;G06N3/08;G06N3/04
代理公司: 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 代理人: 邓婷婷;黄谦
地址: 215123 江苏省苏州市苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 网络 改进 方法 电子设备 存储 介质
【权利要求书】:

1.一种对残差网络的改进方法,其中所述残差网络具有基本模块,所述方法包括:

在每个阶段,将基本模块均替换为瓶颈模块,并将所述瓶颈模块中的标准卷积替换为深度卷积,并对替换后的瓶颈模块进行置换维度;

在除最后一个阶段之外的其他阶段,将所述残差网络的下采样层与残差块分离形成改进后的残差网络。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,还包括:

在每个阶段增加所述改进后的残差网络的层数。

3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述残差网络包括ResNet18、ResNet34和/或ResNet101。

4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述残差网络为ResNet18,所述ResNet18由4个阶段组成,每个阶段包含2个基本模块,所述将基本模块均替换为瓶颈模块包括:

将基本块替换为瓶颈块,4个阶段的通道数分别设置为[32,64,128,256],网络的层数为26([2,2,2,2])。

5.根据权利要求4所述的方法,其中,所述瓶颈模块中采用标准的3x3二维卷积,所述将所述瓶颈模块中的标准卷积替换为深度卷积包括:

将所述标准3x3二维卷积替换为深度卷积。

6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述对替换后的瓶颈模块进行置换维度包括:

通过将具有128个通道的1x1卷积移动到第一位并将具有32个通道的1x1卷积移动到第三位来创建倒置瓶颈块,并将所述深度卷积的通道数从32个增加到128个。

7.根据权利要求6所述的方法,其中,所述ResNet18中所述下采样层为通过在每个阶段开始的残差块中的快捷连接处使用步长为2的3×3卷积和步长为2的1×1卷积来实现的,所述将所述残差网络的下采样层与残差块分离形成改进后的残差网络包括:

使用了一个单独的下采样层,所述下采样层由一个3×3卷积层组成,步幅为2,填充为1,后接一个批处理规范,以实现与所述ResNet18相同的空间分辨率下采样。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法,其中,所述改进后的残差网络应用于基于DNN的说话人确认系统。

9.一种电子设备,其包括:至少一个处理器,以及与所述至少一个处理器通信连接的存储器,其中,所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令,所述指令被所述至少一个处理器执行,以使所述至少一个处理器能够执行权利要求1至8任一项所述方法的步骤。

10.一种存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述程序被处理器执行时实现权利要求1至8任一项所述方法的步骤。

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