[发明专利]一种金刚石膜片制作方法在审

专利信息
申请号: 202210505935.X 申请日: 2022-05-10
公开(公告)号: CN114892141A 公开(公告)日: 2022-08-12
发明(设计)人: 张坤锋;李熙规;张粉红;陈永超 申请(专利权)人: 化合积电(厦门)半导体科技有限公司
主分类号: C23C16/27 分类号: C23C16/27;C23C16/511;C23C16/02;C23C16/56;C30B28/14;C30B29/04;B24B7/22
代理公司: 北京精翰专利代理有限公司 11921 代理人: 张伟
地址: 361023 福建省厦门市集*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 金刚石 膜片 制作方法
【权利要求书】:

1.一种金刚石膜片制作方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1、选择合适的基板,对基板进行清洁;

S2、在基板上形成金刚石晶种;

S3、使用微波等离子体气相沉积方法或者热丝反应法方法使金刚石生长;

S4、退火;

S5、金刚石膜片研磨;

S6、金刚石膜片抛光;

S7、基板去除;

S8、对金刚石膜片进行激光切割;

S9、成品清洗;

发明还提供了另一种生产方法:

X1、选择合适的基板,对基板进行清洁;

X2、在基板上形成金刚石晶种;

X3、使用微波等离子体气象沉积方法或者热丝反应法方法使金刚石生长;

X4、退火;

X5、双面研磨;

X6、双面抛光;

X7、对金刚石膜片进行激光切割;

X8、成品清洗;

在所述S4和所述X4中,退火工序为将金刚石膜片放入高温退火炉内,炉内通入氢气氛或者惰性气体氛围,升温至退火温度,氢气氛有助于金刚石膜片内部非金刚石相或者杂质氢化分解,退火有助于去除金刚石膜片内应力。

2.根据权利要求1所述的一种金刚石膜片制作方法,其特征在于:在所述S1和所述X1中,晶片基板为硅基板、蓝宝石、碳化硅和氮化镓中的一种,生长面粗糙度为0.5~20nm,金属基板为铜基板和钼基板中的一种,生长面粗糙度为100~800um。

3.根据权利要求1所述的一种金刚石膜片制作方法,其特征在于:在所述S1和所述X1中,所述基板清洁方式为化学处理和离子蚀刻中的一种或两种结合。

4.根据权利要求1所述的一种金刚石膜片制作方法,其特征在于:在所述S2和所述X2中,基板上形成金刚石晶种的方式为旋涂方式、丝网印刷、超声附着和先用等离子体蚀刻然后再超声附着中的一种。

5.根据权利要求1所述的一种金刚石膜片制作方法,其特征在于:在完成所述S9和所述X8的步骤后,根据用途还可以对所述金刚石膜片进行金属化镀膜,金属化镀膜的材料为氮化铝、铜、镍、锡中的一种。

6.根据权利要求1所述的一种金刚石膜片制作方法,其特征在于:在所述S5和所述X5中,所述研磨通过不同研磨材料选择搭配,对金刚石膜片表面进行磨平,经过研磨之后表面粗糙度达到0.1um~0.5um。

7.根据权利要求1所述的一种金刚石膜片制作方法,其特征在于:在所述S6和所述X6中,金刚石膜片的抛光方式为机械式干抛、或者化学辅助抛光中的一种,抛光砂轮为树脂类、陶瓷类、金属类砂轮中的一种,抛光后金刚石的表面粗糙度达到0.1~5nm。

8.根据权利要求1所述的一种金刚石膜片制作方法,其特征在于:在所述S4和所述X4中,退火温度为600~1000℃,退火时间为1~360min。

9.根据权利要求1所述的一种金刚石膜片制作方法,其特征在于:在所述S7中,基底去除的方式采用研磨去除、化学去除和激光剥离中的一种。

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