[发明专利]一种金刚石膜片制作方法在审
申请号: | 202210505935.X | 申请日: | 2022-05-10 |
公开(公告)号: | CN114892141A | 公开(公告)日: | 2022-08-12 |
发明(设计)人: | 张坤锋;李熙规;张粉红;陈永超 | 申请(专利权)人: | 化合积电(厦门)半导体科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/511;C23C16/02;C23C16/56;C30B28/14;C30B29/04;B24B7/22 |
代理公司: | 北京精翰专利代理有限公司 11921 | 代理人: | 张伟 |
地址: | 361023 福建省厦门市集*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金刚石 膜片 制作方法 | ||
1.一种金刚石膜片制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、选择合适的基板,对基板进行清洁;
S2、在基板上形成金刚石晶种;
S3、使用微波等离子体气相沉积方法或者热丝反应法方法使金刚石生长;
S4、退火;
S5、金刚石膜片研磨;
S6、金刚石膜片抛光;
S7、基板去除;
S8、对金刚石膜片进行激光切割;
S9、成品清洗;
本发明还提供了另一种生产方法:
X1、选择合适的基板,对基板进行清洁;
X2、在基板上形成金刚石晶种;
X3、使用微波等离子体气象沉积方法或者热丝反应法方法使金刚石生长;
X4、退火;
X5、双面研磨;
X6、双面抛光;
X7、对金刚石膜片进行激光切割;
X8、成品清洗;
在所述S4和所述X4中,退火工序为将金刚石膜片放入高温退火炉内,炉内通入氢气氛或者惰性气体氛围,升温至退火温度,氢气氛有助于金刚石膜片内部非金刚石相或者杂质氢化分解,退火有助于去除金刚石膜片内应力。
2.根据权利要求1所述的一种金刚石膜片制作方法,其特征在于:在所述S1和所述X1中,晶片基板为硅基板、蓝宝石、碳化硅和氮化镓中的一种,生长面粗糙度为0.5~20nm,金属基板为铜基板和钼基板中的一种,生长面粗糙度为100~800um。
3.根据权利要求1所述的一种金刚石膜片制作方法,其特征在于:在所述S1和所述X1中,所述基板清洁方式为化学处理和离子蚀刻中的一种或两种结合。
4.根据权利要求1所述的一种金刚石膜片制作方法,其特征在于:在所述S2和所述X2中,基板上形成金刚石晶种的方式为旋涂方式、丝网印刷、超声附着和先用等离子体蚀刻然后再超声附着中的一种。
5.根据权利要求1所述的一种金刚石膜片制作方法,其特征在于:在完成所述S9和所述X8的步骤后,根据用途还可以对所述金刚石膜片进行金属化镀膜,金属化镀膜的材料为氮化铝、铜、镍、锡中的一种。
6.根据权利要求1所述的一种金刚石膜片制作方法,其特征在于:在所述S5和所述X5中,所述研磨通过不同研磨材料选择搭配,对金刚石膜片表面进行磨平,经过研磨之后表面粗糙度达到0.1um~0.5um。
7.根据权利要求1所述的一种金刚石膜片制作方法,其特征在于:在所述S6和所述X6中,金刚石膜片的抛光方式为机械式干抛、或者化学辅助抛光中的一种,抛光砂轮为树脂类、陶瓷类、金属类砂轮中的一种,抛光后金刚石的表面粗糙度达到0.1~5nm。
8.根据权利要求1所述的一种金刚石膜片制作方法,其特征在于:在所述S4和所述X4中,退火温度为600~1000℃,退火时间为1~360min。
9.根据权利要求1所述的一种金刚石膜片制作方法,其特征在于:在所述S7中,基底去除的方式采用研磨去除、化学去除和激光剥离中的一种。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的