[发明专利]一种自支撑的MEMS红外光源及其制备方法

权利要求书

1.一种自支撑的MEMS红外光源，其特征在于，包括由下到上依次设置的硅衬底、介质薄膜、加热电阻和黑体辐射层，所述加热电阻通过金属剥离工艺形成图形结构，所述黑体辐射层位于加热电阻的中间区域，所述硅衬底背面通过刻蚀形成贯穿硅衬底的背洞区域，位于黑体辐射层下方的介质薄膜被刻蚀掉。

2.根据权利要求1所述的一种自支撑的MEMS红外光源，其特征在于，所述介质薄膜材质选自二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的一种自支撑的MEMS红外光源，其特征在于，所述加热电阻为铂金材质。

4.根据权利要求1所述的一种自支撑的MEMS红外光源，其特征在于，所述黑体辐射层材质为铂黑、碳纳米管或多孔硅。

5.一种如权利要求1所述的自支撑的MEMS红外光源的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、选自一张硅晶圆作为硅衬底；

S2、在硅衬底上使用薄膜生长技术沉积一层介质薄膜；

S3、在介质薄膜上沉积加热电阻，并通过金属剥离工艺形成图形结构；

S4、在加热电阻的中间区域沉积黑体辐射层；

S5、对硅衬底背面进行刻蚀，形成贯穿硅衬底的背洞区域；

S6、使用刻蚀方法将黑体辐射层下方的介质薄膜去除。

6.根据权利要求5所述的一种自支撑的MEMS红外光源的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述薄膜生长技术为PECVD方法。

7.根据权利要求5所述的一种自支撑的MEMS红外光源的制备方法，其特征在于，步骤S3中，使用电子束蒸镀或者溅射工艺沉积加热电阻。

8.根据权利要求5所述的一种自支撑的MEMS红外光源的制备方法，其特征在于，步骤S4中，通过电镀的方法沉积黑体辐射层。

9.根据权利要求5所述的一种自支撑的MEMS红外光源的制备方法，其特征在于，步骤S5中，采用ICP干法刻蚀技术进行刻蚀形成背洞区域。