[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，包括包含有源区的正面和与所述正面相对的背面；

电子元件，在所述有源区上；

在所述衬底的所述正面上的正面布线结构，所述正面布线结构与所述电子元件电连接；以及

在所述衬底的所述背面上的背面布线结构，所述背面布线结构与所述电子元件电连接，

其中，所述背面布线结构包括多个背面布线图案和超通孔图案，所述多个背面布线图案依次堆叠在所述衬底的所述背面上，且所述超通孔图案与所述多个背面布线图案中的至少一层相交并延伸穿过所述多个背面布线图案中的至少一层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述背面布线结构还包括多个背面布线间绝缘膜，所述多个背面布线间绝缘膜依次堆叠在所述衬底的所述背面上，所述多个背面布线图案在所述多个背面布线间绝缘膜上或在所述多个背面布线间绝缘膜中，并且所述超通孔图案贯穿所述多个背面布线间绝缘膜。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述超通孔图案的宽度朝向所述衬底的所述背面减小。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个背面布线图案包括：

第一背面布线图案；

第二背面布线图案，相比于所述第一背面布线图案，与所述衬底的所述背面分隔开更远；以及

背面通孔图案，电连接所述第一背面布线图案和所述第二背面布线图案。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，在所述正面和所述背面之间的高度方向上，所述超通孔图案的高度超过所述背面通孔图案的高度的约1.5倍。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电子元件包括在所述有源区上沿第一方向延伸的有源图案、在所述有源图案上沿与所述第一方向相交的第二方向延伸的栅极结构、以及在所述栅极结构的侧面处在所述有源图案中的源/漏区，并且其中所述超通孔图案与所述源/漏区电连接。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括：

贯通孔，贯穿所述衬底并且电连接所述正面布线结构和所述超通孔图案；以及

在所述电子元件上的源/漏接触部，所述源/漏接触部连接所述正面布线结构和所述源/漏区。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括：

电源布线，在所述衬底中并与所述源/漏区连接；以及

贯通孔，贯穿所述衬底并连接所述电源布线和所述超通孔图案。

9.一种半导体器件，包括：

衬底，包括第一区域和第二区域；

在所述第一区域中的第一有源区和第二有源区，所述第一有源区和所述第二有源区间隔开第一距离；

在所述第二区域中的第三有源区和第四有源区，所述第三有源区和第四有源区间隔开小于所述第一距离的第二距离；

在所述第一有源区上的第一晶体管；

在所述第三有源区上的第二晶体管，；

在所述衬底的上侧上的层间绝缘膜，所述层间绝缘膜在所述第一晶体管和所述第二晶体管上；

在所述层间绝缘膜上的正面布线结构，所述正面布线结构与所述第一晶体管和所述第二晶体管电连接；

在所述第一有源区和所述第二有源区之间的第一电源布线，所述第一电源布线与所述第一晶体管电连接；

在所述第三有源区和所述第四有源区之间的第二电源布线，所述第二电源布线与所述第二晶体管电连接；以及

背面布线结构，在所述衬底的下侧上，

其中，所述背面布线结构包括与所述第一电源布线电连接的超通孔图案以及与所述第二电源布线电连接的背面通孔图案，以及

沿着所述衬底的上侧和下侧之间的高度方向，所述超通孔图案的高度超过所述背面通孔图案的高度的约1.5倍。