[发明专利]一种大动态低附加相移射频可编程增益放大器

权利要求书

1.一种大动态低附加相移射频可编程增益放大器，其特征在于，包括：偏置电压、晶体管M1-M5、电阻R1-R4、电感L1-L2、两个电流控制阵列、两个相位补偿阵列，电流控制阵列包括1端和2端，相位补偿阵列包括1端和2端，其中：

晶体管M1的漏极连接晶体管M3的源极，晶体管M2的漏极连接晶体管M4的源极，晶体管M1与晶体管M2的源极连接晶体管M5的漏极，晶体管M5的栅极与偏置电压2端相连，偏置电压1端连接电阻R1和电阻R2，电阻R3、电感L1、电感L2和电阻R4依次串联；

两个电流控制阵列的1端分别连接晶体管M3、晶体管M4的源极，对应的2端分别连接晶体管M3、晶体管M4的漏极；

两个相位补偿阵列的1端分别连接晶体管M3的源极、晶体管M4的源极，对应的2端分别连接晶体管M4的漏极、晶体管M3的漏极；

晶体管M1和晶体管M2组成共源极差分对管，电阻R1与电阻R2分别为晶体管M1和晶体管M2提供栅压偏置；

晶体管M3和晶体管M4组成可编程增益放大器的共栅极放大级，电阻R3与电感L1作为晶体管M3的负载，电阻R4与电感L2作为晶体管M4的负载；

晶体管M5为尾电流源，用于保障放大器整体电流不变；

电流控制阵列用于实现对放大器增益的编程控制；

相位补偿阵列用于消除前馈电容影响，减小增益变化引起的附加相移。

2.根据权利要求1所述的一种大动态低附加相移射频可编程增益放大器，其特征在于，电流控制阵列包括若干电流通道和若干控制电压，每一个电流通道都设有1口、2口和3口，所有电流通道的1口连接在电流控制阵列1端，所有电流通道的2口连接在电流控制阵列2端，每个电流通道的3口都对应连接一个控制电压。

3.根据权利要求2所述的一种大动态低附加相移射频可编程增益放大器，其特征在于，电流通道中包括晶体管Mg1、晶体管Mg2和反相器INV1，晶体管Mg1的源极、漏极和栅极分别连接1口、2口和3口；所述晶体管Mg2的栅极、源极和漏极分别连接反相器输出端、1口和电源端；所述反相器的输入端与3口相连。

4.根据权利要求3所述的一种大动态低附加相移射频可编程增益放大器，其特征在于，任一电流通道中，晶体管Mg1与晶体管Mg2尺寸相同。

5.根据权利要求3所述的一种大动态低附加相移射频可编程增益放大器，其特征在于，当任一电流通道的3口连接的控制电压输出为高电平时，该电流通道内的晶体管Mg1导通，晶体管Mg2截止，该电流通道输出晶体管Mg1支路电流流过输出+端或输出-端；输出电压为低电平时，该电流通道内的晶体管Mg1截止，晶体管Mg2导通，该电流通道输出晶体管Mg2支路电流流入电源。

6.根据权利要求1所述的一种大动态低附加相移射频可编程增益放大器，其特征在于，相位补偿阵列包括晶体管Mc1～Mcn，晶体管Mc1～Mcn的源极与相位补偿阵列的1端相连；晶体管Mc1～Mcn的漏极与相位补偿阵列的2端相连；每个晶体管的栅极都接地。

7.根据权利要求1所述的一种大动态低附加相移射频可编程增益放大器，其特征在于，晶体管M1和晶体管M2尺寸相同；晶体管M3和晶体管M4尺寸相同。