[发明专利]用于成像传感器的像素

权利要求书

1.一种用于成像传感器的像素，所述像素包括：

光电检测器，包括第一表面和侧壁，侧壁在第一方向上从第一表面延伸到光电检测器中；以及

超表面，位于第一表面上，超表面包括纳米结构，纳米结构使预定波长范围的光从与第一表面基本垂直的方向弯曲至少70度。

2.如权利要求1所述的像素，其中，超表面使预定波长范围的光从与第一表面基本垂直的方向以背对的角度弯曲至少70度。

3.如权利要求1所述的像素，其中，光的预定波长范围包括700nm至1100nm，并且包括700nm和1100nm。

4.如权利要求1所述的像素，其中，所述像素包括在第一方向上小于或等于5μm的厚度。

5.如权利要求1所述的像素，其中，驻波图案形成在所述像素的有源区中。

6.如权利要求1所述的像素，其中，光电检测器包括硅基光电检测器，并且

其中，所述像素吸收预定波长范围的光的功率的至少20％。

7.如权利要求6所述的像素，其中，光电检测器包括雪崩光电二极管、单光子雪崩二极管、量子图像传感器或PIN二极管。

8.如权利要求1所述的像素，其中，侧壁包括深沟槽隔离结构。

9.如权利要求8所述的像素，其中，侧壁包括金属或掺杂的半导体材料。

10.如权利要求1所述的像素，所述像素还包括形成在超表面上并且与第一表面背对的抗反射涂层。

11.如权利要求1所述的像素，其中，所述像素是像素阵列的一部分。

12.一种用于成像传感器的像素，所述像素包括：

光电检测器，包括第一表面、第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁和第二侧壁在光电检测器的相对两侧上在第一方向上从第一表面延伸到光电检测器中；以及

超表面，位于第一表面上，超表面包括纳米结构，纳米结构使预定波长范围的光从与第一表面基本垂直的方向朝向第一侧壁弯曲至少70度，并且从与第一表面基本垂直的方向朝向第二侧壁弯曲至少70度。

13.如权利要求12所述的像素，其中，光的预定波长范围包括700nm至1100nm，并且包括700nm和1100nm。

14.如权利要求12所述的像素，其中，所述像素包括在第一方向上小于或等于5μm的厚度。

15.如权利要求12所述的像素，其中，驻波图案形成在所述像素的有源区中。

16.如权利要求12所述的像素，其中，光电检测器包括硅基光电检测器，并且

其中，所述像素吸收预定波长范围的光的功率的至少20％。

17.如权利要求16所述的像素，其中，光电检测器包括雪崩光电二极管、单光子雪崩二极管、量子图像传感器或PIN二极管。

18.如权利要求12所述的像素，其中，第一侧壁和第二侧壁包括深沟槽隔离结构。

19.如权利要求18所述的像素，其中，第一侧壁和第二侧壁包括金属或掺杂的半导体材料。

20.如权利要求12所述的像素，其中，所述像素是像素阵列的一部分。