[发明专利]低噪声放大电路及低噪声放大器结构

说明书

本发明公开了一种低噪声放大电路，包括前级放大单元和调节单元，所述前级放大单元包括多个前级放大晶体管，每一所述前级放大晶体管的输入节点与对应的一个射频输入端连接，每一所述前级放大晶体管的输出节点相连接；每一所述前级放大晶体管的接地节点相连接形成连接路径，并通过所述调节单元耦合至接地端，所述调节单元包括至少两个调节电感，每一所述调节电感的第一端与所述连接路径上的不同节点相连接，每一所述调节电感的第二端与接地端连接，从而使每一所述前级放大晶体管的输出节点至接地端的电感量之间的差值尽可能小，保证了每一前级放大晶体管的各项性能指标(特别是增益大小)尽可能保持相同，以优化低噪声放大电路的整体性能。

技术领域

本发明涉及射频技术领域，尤其涉及一种低噪声放大电路。

背景技术

低噪声放大电路(Low Noise Amplifier，简称LNA)一般用作各类无线电接收机的高频或中频的前置放大器，能够将接收路径上天线接收到的微弱信号进行放大。低噪声放大器作为接收路径上的第一级器件与天线端相连，以对来自天线的射频信号进行放大处理。低噪声放大器为了能对来自天线的不同的射频信号进行放大，往往包括多条不同的放大路径，然而，由于低噪声放大器中不同的放大路径之间的各项性能指标(例如，阻抗、增益、噪声等)往往存在偏差，从而导致低噪声放大器的整体性能无法满足实际需求。

发明内容

本发明实施例提供一种低噪声放大电路，以解决低噪声放大器中不同放大路径之间存在性能偏差的问题。

一种低噪声放大电路，包括前级放大单元和调节单元，所述前级放大单元包括多个前级放大晶体管，每一所述前级放大晶体管的输入节点与对应的一个射频输入端连接，每一所述前级放大晶体管的输出节点相连接；每一所述前级放大晶体管的接地节点相连接形成连接路径，并通过所述调节单元耦合至接地端，所述调节单元包括至少两个调节电感，每一所述调节电感的第一端与所述连接路径上的不同节点相连接，每一所述调节电感的第二端与接地端连接。

进一步地，所述调节单元被配置为使每一所述前级放大晶体管的接地节点至接地端的电感量之间的差值小于30pH。

进一步地，所述连接路径以中点为分界点分为第一部分连接路径和第二部分连接路径，所述调节单元中的一部分调节电感的第一端与所述第一部分连接路径上的节点相连接，所述调节单元中的另一部分调节电感的第一端与所述第二部分连接路径上的节点相连接。

进一步地，所述低噪声放大电路包括第一前级放大晶体管、第二前级放大晶体管和第三前级放大晶体管；所述第一前级放大晶体管的第一输入节点与第一射频输入端连接，所述第二前级放大晶体管的第二输入节点与第二射频输入端连接，所述第三前级放大晶体管的第三输入节点与第三射频输入端连接，所述第一前级放大晶体管的第一输出节点、所述第二前级放大晶体管的第二输出节点和所述第三前级放大晶体管的第三输出节点相连接，所述第一前级放大晶体管的第一接地节点、所述第二前级放大晶体管的第二接地节点和所述第三前级放大晶体管的第三接地节点相连接；所述调节单元包括第一调节电感和第二调节电感。

进一步地，所述第一前级放大晶体管的第一接地节点至接地端之间的电感量和所述第三前级放大晶体管的第三接地节点至接地端之间的电感量差值小于10pH。

进一步地，所述第一前级放大晶体管的第一接地节点至接地端之间的电感量和所述第三前级放大晶体管的第三接地节点至接地端之间的电感量相同。

进一步地，不同所述射频输入端被配置接收不同频段的射频输入信号。

进一步地，所述前级放大晶体管为MOS管，每一所述前级放大晶体管的栅极与对应的一个射频输入端连接，每一所述前级放大晶体管的源极相连接，每一所述前级放大晶体管的漏极相连接，并通过所述调节单元耦合至接地端。