[发明专利]氧化镓微米线制备方法、日盲紫外探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种氧化镓微米线制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将β-Ga₂O₃粉末与碳粉末按照预设比例混合研磨后得到混合原料粉末；

S2、将所述原料粉末放置在组合石英舟内，并将所述组合石英舟放入炉管中，通入Ar气后开始升温直至达到预设生长温度；

S3、向所述组合石英舟通入Ar气和O₂气的混合气体开始氧化还原反应；

S4、经预设时间氧化还原反应结束，自然冷却后得到氧化镓微米线。

2.根据权利要求1所述的氧化镓微米线制备方法，其特征在于，所述步骤S1中所述β-Ga₂O₃粉末与碳粉末的质量比例为：1:0.5～1:2；所述研磨时间为0.25h～4h；

或所述β-Ga₂O₃粉末与碳粉末的质量比例为：1:0.7～1:1.5；所述研磨时间为0.5h～3h；

或所述β-Ga₂O₃粉末与碳粉末的质量比例为：1:0.9～1:1.1；所述研磨时间为1h～2h。

3.根据权利要求2所述的氧化镓微米线制备方法，其特征在于，所述步骤S2中的组合石英舟由第一石英舟和第二石英舟组成；

所述第一石英舟倒扣在所述第二石英舟上，位于第二石英舟的中间位置处，所述原料粉末被放置在所述第二石英舟中；

所述步骤S2中的Ar气流量为10-100sccm、20～80sccm或30～70sccm。

4.根据权利要求3所述的氧化镓微米线制备方法，其特征在于，所述步骤S2中的升温过程包括以下子步骤：

S21、第一次升温：在38～76min时间内将所述组合石英舟从室温升至970℃；

S22、保温：将所述组合石英舟维持在970℃并保持5-10min；

S23、第二次升温：将所述组合石英舟从970℃升至1050℃～1100℃，升温速率为1℃/min。

5.根据权利要求4所述的氧化镓微米线制备方法，其特征在于，所述步骤S3中的O₂气流量为0.3～7sccm，O₂气与Ar气的混合比例为1:5～1:30、1:7～1:20或1:9～1:15；

所述步骤S4中氧化还原的预设反应时间为30～120min、45～100min或60～90min。

6.根据权利要求5所述的氧化镓微米线制备方法，其特征在于，所述氧化镓微米线的厚度为2-3μm，宽度为10-20μm，长度为5-10mm。

7.一种氧化镓微米线，其特征在于，根据权利要求1～6任一项所述的氧化镓微米线制备方法制备而成。

8.一种日盲紫外探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S11、利用如权利要求1-6中任一项所述的氧化镓微米线制备方法制备所述氧化镓微米线；

S22、通过掩模遮挡所述氧化镓微米线的中间部分，并在所述氧化镓微米线的两端蒸镀金属材料，得到电极区，进而得到日盲紫外探测器。

9.根据权利要求8所述的日盲紫外探测器的制备方法，其特征在于，所述金属材料为金、银、铂或铜，所述金属材料的蒸镀厚度为20-100nm。

10.一种通过权利要求8或9所述的日盲紫外探测器的制备方法制备得到的日盲紫外探测器，其特征在于，包括氧化镓微米线和正负电极，所述正负电极分别位于所述氧化镓微米线的两端。