[发明专利]电迁移测试结构及测试方法

权利要求书

1.一种电迁移测试结构，其特征在于，包括：目标结构、第一连接结构、第二连接结构和第三连接结构，其中，所述目标结构包括第一端和第二端，所述第二端与所述第一端相对设置；

所述第一连接结构从所述目标结构的第一侧与所述第一端连接；

所述第二连接结构从所述目标结构的第二侧与所述第一端连接，所述第二侧与所述第一侧相对设置；

所述第三连接结构从所述目标结构的第二侧与所述第二端连接。

2.如权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述第一连接结构包括第一子连接结构，所述第一子连接结构具有第一子端和第二子端，所述第一子端与所述目标结构的第一端相接触，所述第一子端的关键尺寸小于所述第二子端的关键尺寸。

3.如权利要求2所述的电迁移测试结构，其特征在于，还包括：第四连接结构，所述第四连接结构从所述目标结构的第二侧与所述第二端连接。

4.如权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述目标结构的材料包括金属或合金。

5.如权利要求3所述的电迁移测试结构，其特征在于，还包括：

阴极结构，所述阴极结构通过所述第一连接结构和所述第二连接结构与所述第一端连接；

阳极结构，所述阳极结构通过所述第三连接结构与所述第二端连接。

6.如权利要求5所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述阳极结构还通过所述第四连接结构与所述第二端连接。

7.如权利要求5所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述阴极结构包括第一阴极引线和第二阴极引线，其中，所述第一阴极引线与所述第一连接结构连接，所述第二阴极引线与所述第二连接结构连接。

8.如权利要求7所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述第一连接结构还包括第二子连接结构，所述第二子连接结构具有第三子端和第四子端，所述第三子端与所述第一子连接结构的第二子端相接触，所述第四子端与所述第一阴极引线相接触，所述第四子端的关键尺寸小于所述第三子端的关键尺寸。

9.如权利要求8所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述第二子连接结构的第三子端的关键尺寸小于所述第一子连接结构的第二子端的关键尺寸。

10.如权利要求6所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述阳极结构包括第一阳极引线和第二阳极引线，其中，所述第一阳极引线与所述第三连接结构连接，所述第二阳极引线与所述第四连接结构连接。

11.如权利要求7所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述第一阴极引线与加载电压节点和感测电压节点电连接，所述第二阴极引线与加载电压节点和感测电压节点电连接；所述加载电压节点用于与测试机的第一探针相接触，所述测试机通过所述加载电压节点向所述目标结构施加电流；所述感测电压节点与测试机的第二探针相接触，所述测试机通过所述感测电压节点获得所述目标结构的电阻。

12.如权利要求10所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述第一阳极引线与加载电压节点和感测电压节点电连接，所述第二阳极引线与加载电压节点和感测电压节点电连接；所述加载电压节点用于与测试机的第一探针相接触，所述测试机通过所述加载电压节点向所述目标结构施加电流；所述感测电压节点与测试机的第二探针相接触，所述测试机通过所述感测电压节点获得所述目标结构的电阻。

13.如权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述目标结构包括位于半导体结构中的金属互连线。