[发明专利]铜锑硫族太阳能电池吸收层薄膜的制备装置与制备方法

权利要求书

1.一种铜锑硫族太阳能电池吸收层薄膜的制备装置，包括真空箱(10)，其特征在于，所述真空箱(10)的内部由上至下依次设有衬底加热器(20)、传送架(30)、蒸镀机构(40)以及辅助加热器(50)；

所述衬底加热器(20)的底端安装有多个金属真空吸盘(21)，多个所述金属真空吸盘(21)的出气端均连接有真空吸气支管(22)，多个所述真空吸气支管(22)远离所述金属真空吸盘(21)的一端均与真空吸气主管(23)相连接；

所述传送架(30)的一端外部安装有终止框(31)，所述终止框(31)远离所述真空箱(10)的一端设有第一倒角(32)；

所述真空箱(10)的一侧表面设有供所述传送架(30)穿插的密封框(11)，所述密封框(11)远离所述真空箱(10)的一端设有用于推动所述终止框(31)的挤压密封组件(12)。

2.根据权利要求1所述的铜锑硫族太阳能电池吸收层薄膜的制备装置，其特征在于，所述挤压密封组件(12)包括安装于所述密封框(11)远离所述真空箱(10)的一侧表面的进气框(121)，设于所述进气框(121)内框表面的多个滑动腔(124)，以及与所述滑动腔(124)的内部滑动连接的推块(122)，相邻两个所述滑动腔(124)之间通过通气管(125)相连接。

3.根据权利要求2所述的铜锑硫族太阳能电池吸收层薄膜的制备装置，其特征在于，所述挤压密封组件(12)还包括安装于所述进气框(121)壳体上的进气头(123)，所述进气头(123)的进气端与所述真空吸气主管(23)之间通过真空泵相连接。

4.根据权利要求2所述的铜锑硫族太阳能电池吸收层薄膜的制备装置，其特征在于，所述推块(122)延伸至外部的一端设有第二倒角(1221)，所述推块(122)延伸至所述滑动腔(124)内部的一端设有终止板(1222)。

5.根据权利要求4所述的铜锑硫族太阳能电池吸收层薄膜的制备装置，其特征在于，所述终止板(1222)远离所述推块(122)的一端安装有多个等距设置的弹簧(1223)。

6.根据权利要求5所述的铜锑硫族太阳能电池吸收层薄膜的制备装置，其特征在于，相邻两个所述弹簧(1223)之间设有安装于所述进气框(121)内表面的电磁铁(1224)。

7.根据权利要求1所述的铜锑硫族太阳能电池吸收层薄膜的制备装置，其特征在于，所述传送架(30)的壳体上设有位移传感器。

8.一种铜锑硫族太阳能电池吸收层薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法利用如上述权利要求1至7任意一项所述的铜锑硫族太阳能电池吸收层薄膜的制备装置实现，所述方法包括如下步骤：

步骤一，将玻璃衬底置于传送架(30)上，通过传送臂将传送架(30)装载玻璃衬底的一端输送至真空箱(10)的内部；

步骤二，通过真空泵组对真空箱(10)抽真空，真空度至5*10^-4pa，通过真空泵将金属真空吸盘(21)抽真空，以使玻璃衬底吸附在金属真空吸盘(21)上；

步骤三，通过挤压密封组件(12)推动终止框(31)靠近真空箱(10)，减小真空箱(10)与传送架(30)之间间隙；

步骤四，通过衬底加热器(20)和辅助加热器(50)将玻璃衬底升温至250～350℃并保持恒定，通过蒸镀机构(40)向玻璃衬底表面蒸镀锑和硫，蒸镀时间为8～15min；

步骤五，向步骤四得到的玻璃衬底蒸镀铜、锑和硫，蒸镀时间为40～45min；

步骤六，向步骤五得到的玻璃衬底蒸镀锑和硫，蒸镀时间为30～35min，蒸镀温度为440℃，待玻璃衬底温度降低后，以得到铜锑硫薄膜。

9.根据权利要求8所述的铜锑硫族太阳能电池吸收层薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤一和步骤四至步骤六中的衬底加热器(20)和辅助加热器(50)均为红外热辐射加热器。

10.根据权利要求8所述的铜锑硫族太阳能电池吸收层薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤三中，通过挤压密封组件(12)推动终止框(31)靠近真空箱(10)的方法包括以下步骤：

第一步，通过真空泵为进气框(121)供气；

第二步，通过进气框(121)内的空气推动推块(122)，通过推块(122)推动终止框(31)靠近真空箱(10)。