[发明专利]一种MXene/MoS2 在审
| 申请号： | 202210512053.6 | 申请日： | 2022-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN114904401A | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 陈莉;孙函舒;何洋;寇淼深 | 申请（专利权）人： | 天津工业大学 |
| 主分类号： | B01D71/34 | 分类号： | B01D71/34;B01D71/02;B01D67/00;B01D69/02;B01D61/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300387 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mxene mos base sub | ||
1.一种MXene/MoS2异质结功能化修饰聚合物膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将MAX加入到氟化锂和盐酸的混合溶液中，通过真空干燥制备MXene粉末；
(2)将四硫代钼酸铵(ATM)和上述MXene按照一定质量比加入到去离子水中，利用冷冻干燥制备MXene-ATM混合粉末；
(3)将上述MXene-ATM混合粉末置于高温和混合气体氛围下，得MXene/MoS2异质结粉末；
(4)制备MXene/MoS2异质结乙醇悬浮液；
(5)利用马拉高尼效应使上述MXene/MoS2异质结乙醇悬浮液成膜并固定在基膜正面上，得MXene/MoS2异质结功能化修饰聚合物膜。
2.根据权利要求1所述的一种MXene/MoS2异质结功能化修饰聚合物膜的制备方法，其特征在于：
所述步骤(1)中，盐酸浓度为12mol/L；所述真空干燥的温度为55℃-65℃，时间为12-16h；
所述步骤(2)中，ATM和MXene的质量比为5％-40％；
所述步骤(2)还包括ATM和MXene在乙醇中的均匀分散，具体分散方式为超声处理2-3h；
所述步骤(3)中，高温为400℃；所述混合气体为H2/Ar，体积比为1∶8；
所述步骤(4)中，MXene/MoS2异质结乙醇悬浮液由MXene/MoS2异质结粉末分散于乙醇制得；其中，分散方式为超声处理2-3h；所述MXene/MoS2异质结乙醇悬浮液的浓度为0.1-0.3g/mL。
所述步骤(5)中，基膜的制备温度为25℃-28℃；所述基膜铸膜液的固含量为24％；
所述步骤(5)还包括对基膜进行浸水预处理；所述浸水时间为48-72h。
3.根据权利要求1所述的一种MXene/MoS2异质结功能化修饰聚合物膜的制备方法，其特征在于：
所述步骤(1)中，MAX为Nb2AlC、Ti2AlC、V2AlC、Mo2AlC、Ti3AlC2、Nb4AlC3、V4AlC3中的至少一种；所述MXene为Nb2C、Ti2C、V2C、Mo2C、Ti3C2、Nb4C3、V4C3中的至少一种；
所述步骤(5)中，基膜为聚偏氟乙烯膜、聚砜膜、聚醚砜膜、聚四氟乙烯膜、聚酰胺膜、聚丙烯腈膜、再生纤维素膜、聚氨酯膜或聚甲基丙烯酸甲酯膜中的一种。
4.根据权利要求1所述的一种MXene/MoS2异质结功能化修饰聚合物膜的制备方法，其特征在于：
所述步骤(5)中，利用马拉高尼效应使MXene/MoS2异质结乙醇悬浮液成膜的具体步骤为：将MXene/MoS2异质结乙醇悬浮液注入装有水的培养皿中。
5.根据权利要求1-4所述制备方法得到的MXene/MoS2异质结功能化修饰聚合物膜。
6.根据权利要求5所述的MXene/MoS2异质结功能化修饰聚合物膜在清除活性氧自由基中的应用。
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